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运用KMC方法对金属Ti膜的生长过程进行了计算机模拟,在合理选用势函数和相关参数的基础上,全面考虑了表面上所有不稳定团簇粒子发生扩散迁移运动的可能性。在对粒子团簇进行统计分析时,提出根据粒子的不同颜色对粒子团簇进行统计的新方法。模拟结果表明,随基底温度的升高,团簇总数呈现下降趋势,最大团簇尺寸在温度高于350K时,有明显的长大。而沉积速率的变化对粒子团簇的分布和团簇尺寸的影响不大。 相似文献
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控制退火处理工艺使Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金发生纳米晶化,获得不同晶粒尺度和晶相体积分数的非晶纳米晶双相组织状态.基于铁磁学严格Heisenberg自旋交换模型,构造适合非晶纳米晶双相结构要求的双相自旋团聚点阵.采用Monte Carlo模拟方法对上述双相自旋交换耦合点阵进行数值模拟计算.实验测定了经不同退火处理后双相Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金的纳米晶粒大小、纳米晶相所占体积分数以及晶间非晶相厚度对晶间非晶相Curie温度的影响.发现晶间非晶相Curie温度与其厚度的倒数成线性关系.模拟计算与实验测量结果相符. 相似文献
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根据本文作者提出的基于Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,并以PbTiO3薄膜为例模拟了多元氧化物薄膜生长初期的表面形貌.模拟中选定两个输入参数为沉积速率和沉积温度,并根据相关研究报道的实验条件,分别取沉积速率处于0.1~0.001nm/s之间,沉积温度处于800~1000K之间.模拟结果表明,在薄膜生长的初始阶段,沉积速率和沉积温度对薄膜形貌的影响很大,随着沉积速率的降低和沉积温度的升高,初始凝聚岛的面积增大,总的岛的数目减小;在较低的沉积速率和较高的沉积温度条件下更容易得到薄膜的层状生长. 相似文献
968.
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着发射击高射武器系统点射毁歼概率仿真 总被引:3,自引:0,他引:3
高炮点射毁歼概率计算很复杂且需做许多简化处理。按高炮的点射过程构建仿真统计模型,以4-25 mm高炮为例,仿真统计了6种不同形状目标的点射毁歼概率,并与相应的传统解析法计算值进行了分析比较,证明了解析法简化处理的一些不合理情况以及用C十十语言编程实现复杂随机系统仿真的可行性。 相似文献