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101.
102.
103.
采用热丝化学气相沉积法在覆盖C60膜的硅基片上沉积金刚石膜,研究了金刚石膜的成核与生长.实验结果表明,金刚石的成核密度可达1×106Cm-2,利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜.C60之所以能够促进金刚石成核,我们认为主要与C60分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关.同时,高温下C60分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位. 相似文献
104.
选取不同运行年限的动车组车顶绝缘子为研究对象,分别对其进行憎水性分析(接触角法)、傅里叶红外分析和扫描电镜分析。结果表明:随着服役时间的增加,绝缘子的憎水性下降迅速,但下降趋势逐年减缓,顶部伞裙的憎水性普遍低于中部伞裙与底部伞裙,这与FTIR分析的绝缘子中Si-CH3含量变化趋势吻合。随着服役年限的增加,绝缘子表面形貌变化明显,服役6年的动车组绝缘子已与110 kV输电网中服役15~19年的绝缘子微观形貌相似,这是动车组绝缘子憎水性老化速度快于输电网绝缘子的重要原因之一。 相似文献
105.
用"相反转"乳液接枝共聚合法合成了三元乙丙橡胶与苯乙烯-丙烯腈共聚单体的接枝共聚物(EPDM-g-SAN),将其与苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)树脂共混制备了耐天候老化黄变性能优异的高抗冲工程塑料(AES)。研究了An在共单体中的比率及EPDM/St-An的配比对接枝反应行为及AES的缺口冲击强度的影响。结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现峰值,其中最高CR为97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;AES的缺口冲击强度在An的质量百分比为35%~40%范围内出现峰值,其中最大冲击强度为53.0 kJ/m2。SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合牢固,并证实其AES的增韧机理既有空穴化又有剪切屈服。 相似文献
106.
Lei Zhou Weiting Gao Liyuan Yu Zheming Zhu Jianxing Chen Xingkai Wang 《岩石力学与岩土工程学报(英文版)》2022,14(5):1447-1460
Cracked straight-through Brazilian disc(CSTBD) samples prepared using two rock materials were used for thermal treatment from room temperature to 700°C. Uniaxial splitting experiments were performed using an automatic electro-hydraulic servo press to study the evolution laws of physical and fracture properties of different deep rock materials under high-temperature geological conditions. The fracture characteristics were measured using an industrial camera and digital image correlation technolog... 相似文献
107.
建南气田长兴组碳酸盐岩储层由于前期对酸岩反应规律的认识严重不足,酸压改造效果并不理想。因此开展了旋转圆盘、岩心驱替、扫描电镜等相关实验,以揭示其酸岩反应规律。实验结果表明,岩石成分变化以及晶粒成熟度对酸岩反应速率影响显著,生屑灰岩与胶凝酸的反应速率约为生物灰岩的1.3倍,为灰质云岩的1.4倍,为普通灰岩的1.9倍,20%胶凝酸与4种岩心反应,表面均能形成非均匀刻蚀;溶孔云岩过酸后,由于压实、颗粒运移作用,易造成二次污染,渗透率降低;生物灰岩和生屑灰岩过酸时,胶凝酸更易与方解石充填物发生反应,且优先在晶间孔、晶间缝进行溶蚀,但形成的酸蚀蚓孔较少。针对不同类型储层,分别提出了前置液酸压、加砂酸压、小型酸化、自转向酸酸压等工艺技术 相似文献
108.
本项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行分高分辨显微结构的观察,在ZnTe/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展,而且首次发现类似螺旋位错分解的层错,并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。 相似文献
109.
ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽 相似文献
110.
利用扫描电子显微镜对黑龙江苹果亚科14种植物叶表皮微形态进行比较研究。结果显示:(1)叶表皮细胞呈多边形或无规则形,垂周壁式样呈平直或弓形、浅波纹、深波纹;(2)除无毛花楸无表皮毛外,其它均具有表皮毛,类型均为单细胞不分支非腺毛;(3)叶表皮纹饰呈均匀分布蜡质纹饰和仅气孔周围有蜡质条纹;(4)气孔器均在下表皮分布,且气孔器类型为轮列型、无规则型或不典型辐射型;气孔外拱盖为单层或双层,内缘近平滑或不规则波状;保卫细胞两极仅在水榆花楸、毛山楂、黑果栒子和全缘栒子中出现"T"型加厚。研究表明,该亚科下5属间的叶表皮微形态特征存在一定差异,属内种间在气孔器、表皮毛以及表皮纹饰特征上存在一致性,为属间的系统分类和演化提供了形态结构的依据。 相似文献