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111.
112.
The electroless nickel plating on an aluminum input/output (I/O) pad was investigated. The aluminum pad was pretreated in
a zincate solution prior to electroless nickel plating. Zinc particles on the aluminum pad gave a good adherent nickel layer.
The adhesion and uniformity of zinc on the aluminum is the key factor in under-bump metallurgy (UBM). The electrode potential
changes with and without zinc ions in the bath were measured to analyze the sequence of two competing reactions: zinc deposit
and hydrogen evolution. The relationship between aluminum dissolution and the ratio of zinc and NaOH was investigated. The
electroless nickel deposition rate was dependent on bath composition. The effects of complexing ligand and additive on the
nickel deposit were analyzed. Electrode potential changes were measured with time to confirm nucleation and grain growth.
Adhesion of the UBM was related to zinc-particle dissolution and nickel nucleation. The uniform nickel UBM was fabricated
on a real Al I/O pad. 相似文献
113.
114.
应力波在多层介质中传播特性数值分析 总被引:2,自引:0,他引:2
通过与相关文献结果的对比,在验证了数值模拟应力波传播可行性的基础上,比较了应力波通过3层花岗岩和夹层为泡沫铝的3层介质后,发现后者应力波幅值的衰减远大于前者,应变能增加为前者的1.6倍,证明了软夹层在研究的速度量级上对能量耗散具有显著作用;在入射波波长为3层介质总厚度1/2的条件下,当泡沫铝的厚度占总厚度约0.2时,得出了3层介质的应变能约为系统总能量的60%,此时入射波波长为泡沫铝厚度的2.5倍,组合介质获得较佳的衰减性能. 相似文献
115.
用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞(约1.6 nm)的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的影响,对具有相同初始孔洞体积分数的两个晶向进行拉伸加载,并对不同温度影响进行研究。结果表明:A晶向(x-[100],y-[010],z-[001])的形变机制主要是{111}晶面部分位错引起的堆垛层错,B晶向(x-[-110],y-[111],z-[11-2])主要是位错的移动与堆积;B晶向比A晶向的位错成核应力大;B晶向屈服应力比A晶向对温度敏感。 相似文献
116.
沉淀聚合包覆硝酸铵的吸湿性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在环己烷介质中采用丙烯腈单体沉淀聚合反应对硝酸铵进行了包覆,测试了包覆前后硝酸铵的吸湿性、结块性,利用扫描电子显微镜观察了包覆效果,利用接触角测试仪测量了AN在不同测试液中的接触角,分析了改性后硝酸铵吸湿性降低的原因和机理。 相似文献
117.
悬浮铝粉尘爆轰波参数 总被引:1,自引:0,他引:1
用两相流模型对爆轰波管中的悬浮铝粉尘的爆轰波进行了研究。数值模拟了管径为15.2cm的圆管中平均粒子直径为3.4μm、单位质量表面积为3m2·g-1的铝粉尘中爆轰波的传播和发展,得到了不同浓度时悬浮铝粉尘爆轰波参数,并得到了爆轰极限的下限为当量比=0.25。数值计算给出管径趋于无穷大时不同铝粉尘浓度时爆轰波的参数,得到悬浮铝粉尘爆轰极限的下限为当量比=0.16。数值模拟了当量比为=1、管径不同时爆轰波速度的变化,并得到产生爆轰的临界管径。 相似文献
118.
Nanoporous aluminum oxide (Al2O3) films with uniform porous size of 45 nm prepared by the electrochemical process in inorganic acid medium were implanted at room temperature (RT) with 120 keV Ge+ ions with a fluence of 1.2×1016 cm−2. The nucleation and growths of Ge nanoparticles, were obtained by thermal annealing of the implanted samples at the temperature range of 200-600 °C. The size and distribution of the nanoparticles were characterized by photoluminescence (PL) measurements. The photoluminescence measurements as a function of the annealing temperature shows that at low annealing temperature (200 °C), the sample presents a low intensity and broad emission band centered at 5456 Å consistent with emission band characteristics of nanocluster of Ge with diameter in the range of 4-8 nm, as the annealing temperature increases to 400 °C the PL intensity increases by a factor of almost 20 and the emission band suffers a small red shift. The intensity increases can be related to the increase of the number of Ge nanocluster. At the annealing temperature of 600 °C, the emission band is considerably red shifted by almost 172 Å and the emission intensity decreases significantly, strongly suggesting that nanocrystalline Ge having a character of direct optical transitions exhibits the visible photoluminescence. 相似文献
119.
文章主要对集成电路失效问题进行了分析和阐述。列举出容易引起集成电路失效的裂纹、弹坑的主要原因。一是压焊劈刀选型不当, 生产过程中造成芯片表面沾污, 选用压焊参数不当等都容易引起弹坑。二是存储环境恶劣导致成品电路吸潮, 环氧塑封料的耐热性、耐腐蚀性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性以及结合力在生产制造各环节引起集成电路裂纹的产生, 从而最终导致产品失效。最后提出了预防减少产品裂纹、弹坑引起集成电路失效的方法和对策。 相似文献
120.
蜂窝铝冲击波形数值计算及分析 总被引:2,自引:1,他引:2
为分析蜂窝铝结构参数以及弹丸参数对冲击波形的影响,利用LS-DYNA有限元软件建立了弹丸侵彻蜂窝铝模型,模拟了侵彻波形的发生过程。比较了蜂窝铝相对密度、胞孔角度,侵彻初速和弹头形状对冲击加速度波形的影响。结果表明,增大蜂窝铝相对密度、减小胞孔角度可以引起加速度峰值的提高和冲击脉宽的减小; 提升初始侵彻速度可以同时引起加速度峰值与脉宽的提升; 弹丸形状影响冲击波形,使用卵形弹可以获得较平缓的加速度波形。研究结果对以蜂窝铝为缓冲材料的冲击试验参数选择具有重要参考价值。 相似文献