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61.
固体铝电解电容器用导电高分子制备工艺进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
依据近年的相关专利,综述了用于固体铝电解电容器的导电高分子的最新制备工艺,介绍了导电高分子固体铝电解电容器的结构,详细描述了制备导电高分子的两种主要方法——化学聚合和电化学聚合——及其进展历程。介绍了新颖掺杂剂的发现与使用,对各种工艺的特点进行了评述。  相似文献   
62.
航空铝合金材料激光冲击强化实验研究   总被引:3,自引:9,他引:3  
用自行研制的激光冲击强化处理装置对70 5 0航空铝合金两种状态的材料T745 1,T745 2进行了冲击强化试验,对试件进行了表面压应力测试和结构分析,结果显示,试件表面具有较大的残余压应力,材料内部有较高的位错密度。并进行了疲劳强度测试,测试结果的S N曲线表明,在中等的加载强度下,试件的疲劳强度提高到2倍以上。  相似文献   
63.
7050航空铝合金激光冲击强化残余压应力研究   总被引:13,自引:0,他引:13  
用激光冲击强化处理装置对重要航空铝合金结构材料7050T7451、7050T7452不同工艺条件下进行了冲击强化处理,并对试件激光冲击区存在的残余压应力进行了测量。结果显示经激光冲击处理后试件表面具有极高的残余压应力,可达-200MPa以上;经过两次迭加冲击处理能够极大提高强化效果,其残余压应力相比单次冲击处理提高1倍以上;单面两次迭加处理与双面依次迭加冲击处理相比,试件正面(先冲击一面)残余压应力水平相当,且双面依次迭加处理试件反面(后冲击一面)的残余压应力远小于正面。以上一系列重要结果均为首次通过试验发现,对激光冲击强化处理技术的实际工程应用具有指导性意义。最后还给出了相应的表层组织结构分析和疲劳寿命试验结果。  相似文献   
64.
阳极氧化铝微通道板研究的进展   总被引:1,自引:1,他引:1  
张洋  黄永刚  刘辉  李国恩 《红外技术》2012,34(7):427-432
微通道板(Microchannel Plates,MCP)是一种先进的电子倍增器件,在微光夜视等多个领域有着广泛的应用.传统铅硅酸盐玻璃微通道板(Lead Silicate Glass Microchannel Plates,LSG-MCP)越来越不能满足小孔径、高分辨率、环境友好等方面的要求,寻求替代产品成为研究热点.详细介绍了一种新型微通道板—阳极氧化铝微通道板(Anodic Aluminum Oxide Microchannel Plates,AAO-MCP)的研究进展,包括多孔AAO的特点、微通道的形成、功能层的制备、计算机模拟等.AAO-MCP具有孔径小、面积大、耐强磁场、工作温度范围宽等特点,应用前景广阔.最后分析了AAO-MCP存在的问题以及未来发展方向.  相似文献   
65.
电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。  相似文献   
66.
改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。  相似文献   
67.
研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低 ,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定 ,容量衰减快。浓度和温度高 ,侵蚀箔容量损失大 ,侵蚀箔的初始比容低。加入硫脲和六偏磷酸钠可提高铝箔的初始比容。磷酸和钼酸钠迭加处理使侵蚀箔获得高的初始比容和低的容量衰减率 ,磷酸处理形成氧化膜可分为 Al PO4结构的表面层及 Al PO4和部分 Al被 P代替的水合氧化铝的过渡层。钼酸钠处理形成的氧化膜可分为 Al2 (Mo O4) 3结构的表面层及 A12 (Mo O4) 3和部分 Al被 Mo代替的水合氧化铝过渡层  相似文献   
68.
阐述了感应加热的原理和设备的人机界面特点,分析了铝合金感应软钎焊的优点,根据试验需要设计了专用工装.文中将感应加热技术应用于铝合金微波组件的软钎焊,利用感应加热速度快、加热集中和工件变形小等优点,设计相应的感应器,开展焊接温度场测试和感应软钎焊工艺研究,实现了铝合金微波组件的连接,其焊缝外观一致,内部焊缝致密,微波组件焊后变形较小.  相似文献   
69.
70.
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15~20nm,pH值为10.8~11.2,氧化剂浓度为2.5%~3%。  相似文献   
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