CW DF/HF化学激光器性能与流场参数的相互关系

从增益系数、输出功率、激光效率的基本公式出发 ,得到了CWDF HF化学激光器性能对光腔中F和D2 H2反应区流场参数的依赖关系。利用数值模拟结果对该关系进行了验证。给出了提高CWDF HF化学激光器性能的F和D2 H2 反应区流场参数要求 ,为CWDF HF化学激光器喷管设计提供了依据     

基于小波能量系数和神经网络的管道缺陷识别

利用基于小波能量系数的BP神经网络方法对管道焊缝和管道凹槽进行分类识别。建立了导波检测系统,采集了管道凹槽缺陷和焊缝的多组检测信号样本,从信号样本中提取出小波能量系数,并将小波能量系数应用于BP神经网络的训练与识别。结果表明,该方法对管道缺陷的识别准确率较高,且识别效果稳定,在随机抽取信号样本进行的5次试验中,对焊缝和凹槽的最低识别准确率分别为92%和98%,最高识别准确率均为100%。     

Annealing effects on physical properties of doped CdTe thin films for photovoltaic applications

Polycrystalline Cadmium Telluride (CdTe) thin films were prepared on glass substrates by thermal evaporation at the chamber ambient temperature and then annealed for an hour in vacuum ~1×10⁻⁵ mbar at 400 °C. These annealed thin films were doped with copper (Cu) via ion exchange by immersing these films in Cu (NO₃)₂ solution (1 g/1000 ml) for 20 min. Further these films were again annealed at different temperatures for better diffusion of dopant species. The physical properties of an as doped sample and samples annealed at different temperatures after doping were determined by using energy dispersive x-ray analysis (EDX), x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, transmission spectra analysis, photoconductivity response and hot probe for conductivity type. The optical band gap of these thermally evaporated Cu doped CdTe thin films was determined from the transmission spectra and was found to be in the range 1.42–1.75 eV. The direct energy band gap was found annealing temperatures dependent. The absorption coefficient was >10⁴ cm⁻¹ for incident photons having energy greater than the band gap energy. Optical density was observed also dependent on postdoping annealing temperature. All samples were found having p-type conductivity. These films are strong potential candidates for photovoltaic applications like solar cells.     

正态应力和正态强度结构可靠性的经典精确限

结构可靠性的估计问题是机械可靠性的主要问题之一.强度和应力均为正态变量的结构模式是一种较常见的模式.研究这一模式结构可靠性的区间估计问题.提出了用正态分布变差系数的区间估计结果来处理此模式结构可靠性的区间估计的新方法,给出了正态强度和正态应力的分布参数均未知时,结构可靠性的具有简单表达式的经典精确置信下限,它是此模式结...     

MgO含量对微波高Q介电材料电性能与微观结构的影响

借助典型的固相反应烧结机制,研究了MgO含量对微波高品质因数瓷介材料微观结构与介电性能参数影响的规律。结果表明:高温烧结的镁钛系瓷介质中,随着MgO含量增加,Mg2TiO4晶相的含量逐渐降低、瓷体晶粒由尖晶石型演变为氯化钠型结构,对应的微波介电常数出现缓慢降低,在10.10~13.37范围连续可调。当x=16时,在1 525℃/2 h烧成,可获得性能优良的(2+x)MgO-TiO2陶瓷,其ρ=3.49 g·cm–3,εr=10.37,Q·f=118 747 GHz(f=10.47 GHz),τf=–53.35×10–6℃–1。     

基于反射式太赫兹时域谱的水太赫兹光学参数测量与误差分析

利用垂直反射式太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术 测量了水的THz光学参数并对测 量误差进行了分析。测量过程中,把高阻Si片的空气-Si表面作为参考信号,Si-水表面最 为样 品信号,通过两者之比的传输函数计算得到了水的THz折射率和吸收率,然后应用误差传 播理论分析这些光学参数的误差。结果发现,折射率和吸收率误差中,由多次测量引入的随 机 误差在0.1~1.1THz范围内基本不变,而在接近0.1THz和1.1THz处误差变大,即呈现U型 分布。这表明,在接近0.1THz和1.1THz时, THz-TDS仪器的测量灵敏度下降;由高阻Si片厚 度和Si折射率误差引入的误差比THz-TDS多次测量引入的随机误差大得多,在 0.1~1.1THz 范围对应的水折射率误差分布较均匀,而对应水的吸收率误差随着频率的增加而增大。本文 的方法同样适用于类似的垂直反射式THz-TDS系统提取其它材料的THz光学参数及其误差 分析。     

用于光无线局域网的通信系统设计

主要针对在点对点的光无线通信系统基础上组建而成的光无线局域网,具体描述了应用于光无线局域网的光无线通信系统的组成和原理,主要包括通信系统的光源的选择、发射电路的设计、接收光电二极管的选择、接收电路的设计以及发射和接收天线的选择。这种设计具有可靠性、数据传输速率高、成本低、抗电磁干扰能力和抗衰弱能力强、带宽高、器件尺寸小等优点。     

宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出.采用0.35 μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5V时,输出基准电压1.28 V,在-55 ～125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10-6/℃,频率1 kHz时,电源抑制比(PSRR)可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm.     

±1.5V 1.37×10~(-6)/℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计

设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5 V的电源电压下,输出基准电压为-1.418 55 V,-55～125℃较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35 mV,有效温度系数达到1.37×10-6/℃。同时,带隙基准源具有较高的电源抑制比,在2 kHz下达到73 dB。     

基于时间抖动的幅度量化DRFM谐波衰减技术

数字射频存储器（DRFM-Digital Radio Frequency Memory）的优势是可以对现代采用复杂波形的雷达实施干扰，增强了电子对抗设备的干扰能力。但由于需要用A／D变换器将模拟信号变换为数字信号，不可避免地会引入不期望的谐波分量，这些谐波混叠进接收机系统，会降低干扰设备的功率利用率，而且会被受干扰雷达或附加的系统探测到作为识别存在DRFM干扰信号的依据，对干扰源进行攻击。文章主要讨论时间抖动在幅度量化DRFM谐波衰减方面的应用。