主动约束层阻尼板结构动力学建模研究

将有限元法和GHM法相结合，给出了建立主动约束层阻尼（ACLD）板结构动力学模型的新方法。建模时，考虑到粘弹材料（VEM）的纵向位移影响，采用GHM方法描述VEM的本构关系，解决了VEM的力学特性随温度和频率变化的难点，避免因VEM的复杂本构关系而产生的微分积分方程。算例表明本文给出的建模方法是准确的，ACLD结构能够有效控制结构振动。     

挡土墙填土曲线破裂面的地震主动土压力分析

在地震作用影响下，墙后填土处于极限平衡状态时，假定破裂面为一条通过墙趾的旋轮线。从墙后土楔中取出一微薄水平层，研究其在水平惯性力下的平衡，得到的地震土压力分布和土压力合力作用点位置均与实验结果相吻合。     

球化退火态钢脱碳层深度的金相法测定

论述了国内外金相测定球化退火钢脱碳层深度的标准方法和常用方法存在的不准确性和不适用性问题,提出了解决问题的途径——定量金相法。     

二维无机功能材料

简要介绍了一种通过层状结构材料剥离成单分子层的无机二维功能材料。     

STN—LCD的新进展

STN-LCD采用新的取向层,消除了残象;采用新的驱动波形,消除了串扰;采用二(口恶)烷、卤化物、链烯基、醚和二苯乙炔,改进了液晶料材的性能,使STN-LCD获得高的对比度、快的响应速度、低的驱动电压;采用有源矩阵驱动方法,消除了帧响应,使STN-LCD获得高的对比度、高的亮度及视频响应速度;使用温度跟踪电路,自动跟踪STN-LCD的阀值电压,使STN-LCD获得宽的工作温度。     

太阳能热水器内表面电刷镀锌

用电刷镀的方法,对尺寸为2000mm×1000mm×0.8mm 的 A_3钢板电刷镀锌保护层;并对影响镀锌层质量的因素进行了充分的研究。     

挟沙水流中沙粒对底壁湍流猝发的影响

本文在常规的边界层方程中保留了法向压力梯度项和增加了固粒对流体的使用项，结合Ｂａｔｃｈｅｏｌｒ对交界面提供的分析方法和小扰动稳定性理论，由理论分析和计算得到了包括沙粒之类的悬浮体的尺寸，比重，流动Ｒｅ数，两相速度差以及扰动波数与水流底壁湍流猝发角的关系，计算结果与Ｒａｓｈｉｄｉ等的实验结果相符。文中所得结果有助于进一步了解江河底部水流的流动特性以及泥沙的沉积和输运机理。     

用发展的Sachs法研究模拟轧辊中的残余应力

对不同辊型，尺寸，材料与加工处理方法的模拟冷轧辊进行了内剥层试验研究，求出了原辊和打中心孔或扩孔后辊内残余应力分布曲线，提出了虚拟打孔法和虚拟剥层法，解决了实心辊中心和空心辊内表层的残余应力的精确测量问题，丰富了Ｓａｃｈｓ内剥层法的内容，机械法打中心孔，热处理前打中心孔，空心辊表淬前改变温度场的方法可降低残余应力值，后者降低残余应力的效果尤为显著。     

Studies on the growth of CdTe on Si using ge interfacial layer in an organometallic vapor phase epitaxial system

Epitaxial CdTe layers were grown using organometallic vapor phase epitaxy on Si substrates with a Ge buffer layer. Ge layer was grown in the same reactor using germane gas and the reaction of germane gas with the native Si surface is studied in detail at low temperature. It is shown that germane gas can be used to “clean” the Si surface oxide prior to CdTe growth by first reducing the thin native oxide that may be present on Si. When Ge layer was grown on Si using germane gas, an induction period was observed before the continuous layer of Ge growth starts. This induction period is a function of the thickness of the native oxide present on Si and possible reasons for this behavior are outlined. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) data show negligible outdiffusion and cross contamination of Ge in CdTe.