300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究

随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。     

Material and process challenges in 100 nm interconnects module technology and beyond

In order for ultra-large-integrated (ULSI) circuits manufacturing to minimize the Cost of Ownership (CoO) aspect in the wiring process and realize fabricating semiconductor devices over 100 nm node, several Cu/low-k wiring technologies have been proposed. The evidential criteria in choosing the most probable one are physical or material limitation and requirements from manufacturing. A development of module processes (e.g., processing from low-k dielectrics to metal CMP) with proven equipment and material is an appropriate approach and has a high potential in overcoming those difficulties. In this paper, an advantage of dual Damascene Cu wiring accompanied with low-k (dielectric constant ∼2.7) and prediction of 100 nm Cu wiring module will be discussed.     

用高效捕收剂Y89分选铜录山难选泥质氧化铜矿石的研究

用Ｙ８９－０黄药和异丁基黄药分别作捕收剂分选铜录山难选泥质氧化铜矿石,结果表明,在选矿指标相近的情况下,Ｙ８９－０用量比异丁基黄药用量少３０％－４０％;采用硫化铜和氧化铜矿物混合浮选的流程,在药剂用量相同的条件下,用Ｙ８９－０比用异丁基黄药所获得的铜精矿含Ｃｕ高２．１８％,含Ａｕ高６．５ｇ／ｔ,Ｃｕ回收率高１．３７％,Ａｕ回收率高９．３２％。     

铜蒸汽激光器双闸流管触发系统的研究

研制成用于钢蒸汽激光器的双间流管触发系统。用两个闸流管并联进行交替触发，总输入电功率达7．8kW。低功率运行时，激光器的效率为0．6％与单间流管激光器的效率一致。     

铜蒸气激光器的热设计

本文系统阐述了铜蒸气激光器的设计过程.在大量实验资料的基础上,给出了激光器放电管尺寸、输入功率密度的选择原则,通过分析放电管内气体温度分布、激光管径向热导损耗,建立了一套确定保温层厚度的方法.分析了光束"黑心"的原因,进而提出了解决途径.以上的设计思想在我们新近研制5W器件上得到验证.     

强激光系统中铜镜微变形实验研究

利用泰曼干涉仪及图像处理系统对强激光作用下不同冷却结构镜片包括空腔、环形通道几何结构铜镜的变形进行了实验研究，对其变形规律、变形机理作了探讨和分析。设计了一种新型多层冷却结构铜镜。将这几种铜镜的变形作比较．结果表明新结构铜镜不仅热变形小．而且由冷却流体压力引起的附加变形也很小．为有效控制强激光系统中镜片表面变形提供了有效途径。     

激光诱导化学沉积（铜）的实验研究

利用５１４．５ｎｍＡ＾＋ｒ激光作诱导光源，研究了激光功率、辐照时间、镀液组份等化学沉积的影响规律，利用扫描电镜分析了镀斑形成过程的微观形貌，结果表明：与普通化学镀相比，激光诱导化学沉积所形成的镀层其表面平滑，颗粒分布均匀，致密。文中还初步探讨了有关激光诱导作用的机理。     

某含铜金矿氨氰法选择性浸出提金工艺试验研究

本文对国外某含铜金矿开展氨氰选择性浸金及浸出贵液臭氧除铜工艺试验研究,研究结果表明：在给矿粒度-0.074mm95%,硫酸铵8kg/t,氰化钠0.4kg/t,石灰4kg/t(pH为9-10),矿浆浓度40%,金浸出率约90.3%;氨氰浸出贵液初始pH10~11,通入臭氧除铜,铜沉淀率达99.0%,金基本不损失,沉铜渣铜品位33.89%,可以铜精矿形式出售。     

Phase Diagram of the BaO-CuO Binary System

The phase diagram of the BaO-CuO binary system has been investigated in air and in a mixed gas of Ar + 0.21 atm of O₂. The existence of two compounds, BaCuO₂ and Ba₂CuO₃, was confirmed. The phase transition of Ba₂CuO₃ from an orthorhombic to a tetragonal phase was observed to occur at 1083 K. The lattice constants of the tetragonal Ba₂CuO₃ phase were determined to be a = 1.2975 nm and b = 0.3992 nm. BaCuO₂ was shown to melt incongruently by a synthetic reaction at 1289 K. Furthermore, the existence of two eutectic reactions and a peritectic reaction in the present system was confirmed.     

用纳米铜油墨印刷RFID标签天线

采用廉价的纳米铜导电油墨直接印刷电路图案,再经紫外固化形成导电线路,铜膜导电线路表现出金属般的外观,其电阻率是纯铜的10倍,成本接近当前印刷线路板的成本,且工艺简单、环保和生产灵活,可望在一些领域替代传统的蚀刻电子线路.