基于下视图像的打击效果评估系统研究

研究了打击效果评估的基本概念及该技术在国外的发展与应用情况,提出了基于下视图像的毁伤特征提取方法与典型目标毁伤评估准则。从物理级、功能级和系统级三个层次对打击效果评估进行了描述,提出了基于变化检测的物理级毁伤效果评估方法、基于自动目标识别的物理级毁伤评估方法和基于专家知识库的功能级毁伤评估方法,开发实现了基于下视图像的典型目标打击效果评估系统。仿真结果表明,所提出打击效果评估方法是有效的。     

金属材料在高应变率下的热粘塑性本构模型

提出了一种考虑应变强化、应变率强化、热软化效应及材料损伤的本构模型,通过在Johnson-Cook热粘塑性本构关系中增加一个随应变增大应力减速小的软化项,反映材料的损伤.该模型可以很好地预测材料的整个变形过程,同时提供了一个确定软化项系数的简单方法.     

鱼雷战斗部技术研究现状及发展趋势

鉴于鱼雷战斗部技术的研究现状,通过以下5方面分析并展望了提高鱼雷战斗部爆炸威力的途径：研究新型战斗部结构,实现定向聚能爆破;研究新型高能炸药,提高战斗部的毁伤威力;加大鱼雷口径,大幅度增加装药量;采用先进工艺,提高炸药的装填密度;在必要情况下,采用核装药。提出了改进建议：在逐步提高研究手段和加强条件保障建设基础上重点开展鱼雷战斗部数值仿真研究和水下爆炸试验研究。     

预制破片弹攻击飞行器目标的实时可视化研究

对预制破片式战斗部导弹拦截飞行器目标过程的实时可视化仿真研究,并针对相关问题提出了解决方法。提出一种特性模型的概念,将目标几何信息和事实信息相关联,进而通过破片与目标的几何关系得到侵彻条件;利用射线算法对破片进行碰撞检测,并设计实现了模型的在线编辑方法。最后通过一个可视化示例校验了以上各方法的有效性。     

不同围压下混凝土受压弹塑性损伤本构模型的研究

在ＭＴＳ公司８１５０２型电液伺服系统上，完成了围压由０～４０ＭＰａ范围内混凝土受压试验，发现随着围压的增大，应力应变全曲线的峰值应力与峰值应变均有所提高，但弹性模量基本不变在此基础上，根据等效应变假定和内变量理论，建立了考虑不可逆应变影响的弹塑性损伤本构模型只要计及峰值应力和峰值应变的变化，该模型可以统一地描述不同围压下混凝土的力学性能     

熔石英亚表面微缺陷原位表征及损伤阈值研究

通过对熔石英表面和亚表面划痕的原位测量,研究划痕的表面均方根(RMS)粗糙度、宽度和深度在HF溶液中刻蚀不同时间后的变化规律,测试了不同刻蚀时间下熔石英的损伤阈值。实验结果表明:随刻蚀时间的增加,表面RMS、划痕深度及宽度的总体变化趋势是增加的;熔石英的损伤阈值随刻蚀时间的增加,在1～10min时间段呈增加趋势,在20～40 min时间段呈下降趋势,而在60～120 min时间段先增加后降低。综合熔石英划痕的微观形貌损伤阈值的测量结果认为,刻蚀10 min时效果最佳。     

JOB-9003炸药热冲击损伤的超声波检测

观察了JOB-9003炸药在水浴法热冲击试验中发生的损伤及变化过程,研究了超声特性参数(增益)与炸药热冲击损伤因子的关系,曲线关系预示出炸药存在预损伤。研究结果表明超声波检测技术及装置适合于JOB-9003炸药热冲击损伤及其演变的实验测试,可为研究炸药在外载条件下的动态响应提供一项新的实验技术。     

浅谈声发射技术在含能材料研究中的应用

综述了国内外声发射技术的发展及其在含能材料研究中应用进展。从含能材料的声发射特性研究和多项性能试验等方面对含能材料的声发射检测技术和应用途径进行分析和比较，结果表明声发射检测技术作为一种动态无损检测技术，在含能材料的产品质量控制、性能研究、内部损伤的监测与评估以及加工安全监测等方面都有其独特的可靠性和优越性。     

强激光作用下金属基复合材料的破坏效应

研究了铝基碳化硅纤维增强复合材料在连续波强激光辐照下的破坏效应。结果表明 ,高强纤维的存在提高了复合材料的抗激光破坏能力。强激光辐照使金属基复合材料产生的主要效应是基体的熔融、汽化和纤维与基体反应 ,这些效应是造成金属基复合材料强度大幅降级从而导致材料结构破坏的直接原因     

Combined use of three-dimensional X-ray diffraction imaging and micro-Raman spectroscopy for the non-destructive evaluation of plasma arc induced damage on silicon wafers

The practicality of plasma etching, combined with low temperature and directional process capabilities make it an integral part of the IC manufacturing process. A significant cause of damage to wafers during plasma processing is arcing damage. Plasma arcing damage results in large pits and non-uniformities on the wafer surface which can lead to wafer breakage and high yield losses.Thus a non-destructive wafer damage metrology is crucial to the understanding of wafer failure mechanisms. We report on the successful use of a combined suite of non-destructive metrology techniques to locate the arc damage sites and examine the physical processes which have occurred as a result of the damage. These consist of 3D X-ray diffraction imaging (3D-XRDI), micro-Raman spectroscopy (μRS), and scanning electron microscopy (SEM).In the case of the two examples examined in this study the plasma induced damage on the wafer surface appears as regions of damage ranging from 100 μm to 1000 μm in diameter. 3D-XRDI shows that the strain fields propagate out from the damage site in all directions, with the damage penetrating up to ? of the way through the substrate. K-means clustering and false colouring algorithms are used to highlight the regions of interest in 3D-XRDI, and to enhance the analysis process. Sectioning of the 3D images has enabled non-destructive imaging of the internal damage in the samples at any location. Micro-Raman spectroscopy results indicate the presence of both crystalline and amorphous silicon. Strain measurements at the damage site show tensile strains as high as 500 MPa in certain situations, with strain levels increasing from the surface towards the bottom of the dislocation cell structures, which can be distinguished in the synchrotron X-ray topographs. 3D-XRDI and μRS results are in close correlation, proving the potential for 3D-XRDI as non-contact, non-destructive metrology particularly suited to these problems.