基于脉冲整形的激发双重态间的相干布局操控

为了实现红外飞秒脉冲的整形及调控,采用4f系统相位控制技术,实验搭建了脉冲整形装置,并利用整形脉冲对铷原子体系中激发双重态间的相干布居转移进行操控。结果表明,控制抽运脉冲的附加相位,可实现双重态中上激发态的饱和布居,通过修改附加相位函数可将上、下激发态的布居数反转。整形脉冲同样适用于其它的原子和分子系统的相干布居转移的操控。     

基于半导体光电位置敏感器件厚度检测仪研制

首先分析了光线通过薄膜的理论及特点,在此基础上,采用透镜、分束棱镜、滤光片以及新型半导体光电位置敏感器件,设计了一种新型透明体厚度光电检测仪。该仪器中的光学系统设计,采用双光路消漂移方法,消除了光束的漂移等不稳定因素;信号处理电路采用高精度、低温漂放大器等元器件,最大程度地消除了热噪声;对入射光线、被测体、探测器三者之间的相对位置进行了最优化设计。最后,对该仪器的结构、特点以及产生的误差进行了分析,给出了几个重要结论。     

CCD类成像器件的噪声研究

CCD图像传感器的输出信号是空间采样的离散模拟信号,其中夹杂着各种噪声和干扰。对CCD信号进行处理的目的就是在不损失图像细节的前提下,尽可能地消除噪声和干扰,以提高信噪比,获取高质量的图像。为此,必须对CCD的噪声种类和特性有所了解,并针对各种噪声进行相应的去噪处理。所以对CCD成像器件噪声部分的研究,有利于提高CCD成像器件的分辨率,也能提高探测微弱光的能力。     

全固态Yb∶YAG激光器发展现状

介绍了Yb∶YAG晶体的激光特性,分析了Yb∶YAG 1030 nm激光器、1049 nm激光器、倍频激光器、可调谐激光器以及新型陶瓷激光器的发展现状。     

静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理.采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂.采用HHNEC 0.35 μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声.     

基于双闭环控制的食盐自动装箱机控制系统设计

针对目前食盐装箱系统中自动化程度低、控制精度低等问题,设计了一套基于PLC的双闭环自动装箱机控制系统。在此详细介绍了系统的工艺流程,系统阐述了控制系统的I/O分配与接线,分析了控制流程,完成了控制系统的设计。该控制系统实现了控制过程的自动化,提高了系统的稳定性与可靠性。     

SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟

为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。     

一种新的数据持久层设计方法与实现

针对目前数据库模型改动将导致业务层和数据库层的大量数据修改的不足这一问题,提出建立新的框架即双重数据持久层框架的设计方法,该方法联合运用iBATIS数据持久层框架和数据字典技术来实现.当数据库模型需要变更时,可较方便地通过操作数据字典,来实现对数据持久层和数据库模型的同步维护,较大程度提高了工作效率,可移植性增强.     

Spin transport properties in double quantum rings connected in series

A new model of metal/semiconductor/metal double-quantum-ring connected in series is proposed and the transport properties in this model are theoretically studied.The results imply that the transmission coefficient shows periodic variations with increasing semiconductor ring size.The effects of the magnetic field and Rashba spin-orbit interaction on the transmission coefficient for two kinds of spin state electrons are different.The number of the transmission coefficient peaks is related to the length ratio between the upper arm and the half circumference of the ring.In addition,the transmission coefficient shows oscillation behavior with enhanced external magnetic field,and the corresponding average value is related to the two leads’ relative position.