系统状态变量分析和系统时域分析的关系

本文通过把因果微分定理推广成矢量表示式,使用时域分析中的等效激励法求解状态矢量和系统输出,给出了状态变量分析中的时域计算公式的简捷推导;我们通过推导状态矢量与用0阶到n-1阶导数组成的输入输出矢量之间的关系式,用状态不跳变原理导出了输出初值跳变的计算公式,给出了冲激匹配法和等效零输入激励不变法的本质;最后,本文通过分析推导证明了状态变量分析中的时域计算公式与时域分析计算公式的一致性。     

Impacts of additive uniaxial strain on hole mobility in bulk Si and strained-Si p-MOSFETs

Hole mobility changes under uniaxial and combinational stress in different directions are characterized and analyzed by applying additive mechanical uniaxial stress to bulk Si and SiGe-virtual-substrate-induced strained-Si (s-Si) p-MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) along <110> and <100> channel directions. In bulk Si, a mobility enhancement peak is found under uniaxial compressive strain in the low vertical field. The combination of (100) direction uniaxial tensile strain and substrate-induced biaxial tensile strain provides a higher mobility relative to the (110) direction, opposite to the situation in bulk Si. But the combinational strain experiences a gain loss at high field, which means that uniaxial compressive strain may still be a better choice. The mobility enhancement of SiGe-induced strained p-MOSFETs along the (110) direction under additive uniaxial tension is explained by the competition between biaxial and shear stress.     

双激励源压电陶瓷超声换能器的共振频率特性分析

 本文对具有两组压电陶瓷激励元件的夹心式功率超声压电换能器进行了理论及实验研究.当换能器中的两组压电陶瓷元件分别被激励时,换能器可以产生两组不同的共振及反共振频率.利用换能器的梅森等效电路,得出了其频率方程.探讨了换能器的共振频率及反共振频率与其几何尺寸及电学边界条件的依赖关系.研究表明,换能器的共振频率不仅与其几何形状和尺寸有关,而且与电学边界条件有关.在同样的几何尺寸下,电端开路时的共振及反共振频率大于电端短路时的共振及反共振频率.在两种电学边界条件下,换能器的共振及反共振频率与几何尺寸之间的依赖关系是相似的,即当换能器圆锥前盖板的半径比增大时,换能器的共振及反共振频率总是降低的.     

非对称十字孔双脊波导定向耦合器的设计

借鉴波导定向耦合器的设计原理,采用双脊波导的形式（本文采用标准双脊波导WRD650型号）设计大功率宽频带定向耦合器。由于双脊波导相比于矩形波导,最低模式的截止频率更低,单模工作的频带更宽,特性阻抗更低,所以采用双脊波导的形式比矩形波导在带宽方面更有优势。波导耦合器耦合方式有很多种,最常用的有小孔耦合和缝隙耦合,本文采用非对称十字孔耦合的方式,并与等孔径分布和切比雪夫分布的圆孔耦合比较来确定非对称十字孔耦合方式,在耦合平坦度、方向性方面有更好的改进。利用电磁仿真软件进行仿真对比其结果,通过一些具体措施改善双脊波导定向耦合器的性能,使定向耦合器的各种设计指标达到要求。     

过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究。本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势。通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比)。实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10%~20%。对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质。     

波峰焊焊接空洞问题的分析与解决方法

无铅波峰焊接工艺是常见组装焊接工艺之一,其中焊接空洞是较严重的问题。焊接空洞的存在是电子学产品的潜在隐患,影响产线补板效率,增加生产成本。以实际生产过程中混装电路板过波峰焊时遇到的通孔焊接空洞现象进行分析,主要从印制板制程工艺与波峰焊工艺参数这两方面提出解决方案。     

直升机卫星通信系统关键技术研究

基于直升机卫星通信系统的特点,分析了卫星通信系统中姿态角提取、坐标变化及抗遮挡等关键技术,采用链路分析估算方法,提出了针对关键技术点的测试方案设计,通过工程案例验证,实现了对系统的测试与评估。     

场路结合法求解永磁同步电动机磁路系数

永磁同步电动机由于采用永磁体励磁替代了电励磁,增加了转子磁路的复杂性,使得采用等效磁路法求取空载漏磁系数、计算极弧系数、气隙系数等磁路系数时,难以获得较为准确的结果。提出了运用场路结合法求解永磁同步电动机磁路系数的思路,利用等效磁路法对磁路系数进行理论分析,并将电磁场有限元仿真的结果代入到等效磁路法定义的相关公式中,求得磁路系数较为准确的数值,提高了电磁计算的精度。     

EAM-DFB集成光源典型参数特性的电路级分析

针对电吸收型调制器和分布反馈激光器集成光源(EAM-DFB)的光电混合特征,建立了包含自发辐射、俄歇复合、寄生效应以及隔离电阻的等效电路模型。分析了在不同驱动电流和自发辐射因子下,该模块的输出、调制及噪声特性,并与直接调制DFB作了对比。结果表明,EAM-DFB可生成超短脉冲(小于25 ps);随着驱动电流的增加,输出功率增大、脉冲展宽,噪声增强且峰值点向高频移动;减小自发辐射因子和增加驱动电流均使其调制带宽增加;与DFB相比,EAM-DFB增加了少量噪声,但具有更陡峭的功率-电流特性和更大的调制带宽。