利用多阱结构改善有机电致发光器件效率

将N,N'-bis-(1-naphthy1)-N,N'-dipheny-1,1'bipheny1 4,4'-diamine(NPB)与bathocuproine(BCP)2种材料以交叠沉积方式组成一种周期性结构作为空穴注入层,制备了结构为ITO/[NPB/BCP]n/AlQ/LiF/Al的有机电致发光器件(OLED).通过改变空穴注入层阱状结构的重复周期数n,可改变载流子复合区域,进而获得近白光和绿光发射.由于该结构能获得更好的载流子注入平衡,具有交叠结构空穴注入层的近白光器件在15 V时亮度达到3 433.8 cd/m2,在电流密度为60.9 mA/cm2时最大发光效率为2.26 cd/A.当周期数n大于3时得到绿光发射,与单空穴注入层ITO/NPB/AlQ/LiF/Al器件相比,交叠空穴注入层可将器件的最大亮度由2 512.8 cd/m2提高到866 1.0 cd/m2,最大亮度效率在20 mA/cm2时达到4.94 cd/A.     

偏心孔缝箱体屏蔽效能电磁拓扑分析算法

基于电磁拓扑理论,对Robinson等效电路模型进行改进,提出了箱体屏蔽效能分析的电磁拓扑算法.该算法将孔缝等效为二端口网络,通过散射矩阵准确地描述了箱体内部场的行驻波态,实现了内外场耦合的准确建模;结合偏心孔缝箱体分析理论,求解偏心孔缝散射矩阵,进而实现了偏心孔缝箱体的屏蔽效能分析.在0～2 GHz频域内,分别对偏心单孔和孔阵箱体的屏蔽效能进行了仿真,通过与软件CST数值结果的对比,验证了算法的有效性.最后采用该算法详细分析了孔缝宽度、测试点距离、入射极化角和入射方位角对单孔箱体屏蔽效能的影响.     

航天用刚挠印制板可靠性研究

通过分析影响航天用刚挠印制板可靠性的主要因素分层和金属化孔的质量,从刚挠印制板的设计、工艺控制等角度提出适合于航天用刚挠印制板的材料、关键工序工艺条件以及特殊检验要求。通过振动试验、加速度试验、加严热冲击试验、焊接后高低温循环试验等试验证明了高可靠性刚挠印制板可以应用于航天器产品,并给出航天用刚挠印制板具体的材料、生产工艺及关键工艺参数建议。     

基于并行PO/EEC的ISAR回波生成与成像仿真

为了满足基于模板的逆合成孔径雷达（ISAR）目标识别对海量高分辨模板图像的工程需求,提出了一种基于并行电磁散射特性计算技术的ISAR图像信号级仿真方法。首先,以OpenMP技术为基础采用并行物理光学和等效边缘电磁流对目标的电磁散射特性进行快速计算;其次,以步进频率波形为雷达发射波形结合目标的电磁散射特性生成了宽带雷达回波数据;最后,对使用距离多普勒算法对仿真回波数据进行处理生成ISAR像,并与点阵模型成像结果进行了对比分析。实现了对ISAR图像的信号级快速仿真,对ISAR系统设计与验证、ISAR图像解译和目标识别以及ISAR成像处理等具有重要意义。     

基于XC164的三相SPWM技术研究

从SPWM原理出发,利用等效面积补偿法,提出了一种三相SPWM算法。该算法通过对调制函数预先整形的方法来扩展线性范围,使输出基波在调制度M大于1的情况下仍和调制波保持线性关系,提高输出波形的精度。实验结果证明,该算法使具有电压利用率高、谐波损耗小、计算方法简洁的优点。     

由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.     

Heteroatom Effect on Star‐Shaped Hole‐Transporting Materials for Perovskite Solar Cells

Three new star‐shaped hole‐transporting materials (HTMs) incorporating benzotripyrrole, benzotrifuran, and benzotriselenophene central cores endowed with three‐armed triphenylamine moieties ( BTP‐1 , BTF‐1 , and BTSe‐1 , respectively) are designed, synthesized, and implemented in perovskite solar cells (PSCs). The impact that the heteroatom‐containing central scaffold has on the electrochemical and photophysical properties, as well as on the photovoltaic performance, is systematically investigated and compared with their sulfur‐rich analogue ( BTT‐3 ). The new HTMs exhibit suitable highest‐occupied molecular orbitals (HOMO) levels regarding the valence band of the perovskite, which ensure efficient hole extraction at the perovskite/HTM interface. The molecular structures of BTF‐1 , BTT‐3 , and BTSe‐1 are fully elucidated by single‐crystal X‐ray crystallography as toluene solvates. The optimized (FAPbI₃)_0.85(MAPbBr₃)_0.15‐based perovskite solar cells employing the tailor‐made, chalcogenide‐based HTMs exhibit remarkable power conversion efficiencies up to 18.5%, which are comparable to the devices based on the benchmark spiro‐OMeTAD. PSCs with BTP‐1 exhibit a more limited power conversion efficiency of 15.5%, with noticeable hysteresis. This systematic study indicates that chalcogenide‐based derivatives are promising HTM candidates to compete efficiently with spiro‐OMeTAD.     

高峰值功率自准直脉冲Nd:YAG激光加工无锥度直孔研究

利用改进的脉冲Nd:YAG激光器,对激光冲击打孔加工无锥度直孔进行了实验研究。在优化激光脉冲峰值功率和脉冲能量、辅助气压参数的基础上,通过比较实验证明,能量递增组合脉冲是实现无锥度直孔加工的有效方式,增加脉冲组合中脉冲的个数可加工出负锥度的孔;激光焦点位置是影响孔锥度的重要因素,焦点位于材料表面上方1.1~1.7 mm有利于减小锥度。在厚度为1.5,3.0 mm的镍基高温合金材料上,获得孔径分别为480,510μm的直孔,重复打孔孔径误差约30μm,孔锥度<1%。给出了可实用于激光冲击打孔的直孔加工方法和脉冲激光器,并可用于其他材料的加工。     

深小孔脉冲电解加工精度控制研究

为了实现电解加工深小孔的精度控制,建立线性去除率动态数学模型,分析影响动态方程的工艺参数,通过在镍基合金上进行电解加工深小孔试验,分析了脉冲宽度、工具电极进给速度、工具电极绝缘层有无裸露对深小孔加工精度的影响。结果表明：采用较大的脉冲宽度、较大的工具电极进给速度、绝缘层覆盖全部工具电极,有利于提高孔的加工精度。