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In this article, two consecutive augmenting transistor P-channel metal oxide semiconductor (ATPMOS) configurations are proposed. These two ATPMOS configurations (ST ATPMOS and DT ATPMOS) are implemented on a 4 × 1 (multiplexer) mux circuit. Leakage power dissipation, dynamic power dissipation and delay performance parameters are calculated for both (ST ATPMOS and DT ATPMOS) ATPMOS configurations-based 4 × 1 mux circuits at different values of transistor’s width. Due to simulation, it is realised that the leakage power dissipation and dynamic power dissipation are reduced and delay is improved (delay is reduced) in the DT ATPMOS configuration-based mux circuit compared to the ST ATPMOS configuration-based mux circuit. The whole simulation process was carried out in 45-nm technology. The circuits were operated at 1-V power supply. 相似文献
72.
基于Kirchhoff定律 ,利用波长为 1.5 5 μm的半导体激光器InGaAsP作测量光源、以PbSe探测器作光电转换器件、以 80 3 1单片机为核心 ,设计了一种可实时测量光谱发射率的仪器。该仪器由光学发射与接收系统、信号放大与处理系统及显示系统三部分组成。介绍了该仪器的基本结构与工作原理 ,讨论了其中的技术难点及其相应的解决方法 ,并给出了部分实验结果。 相似文献
73.
基于台阶地形模型爆破振动测试实验,研究爆破振动在台阶地形的传播规律及测点位置对爆破振动速度预测的影响规律。结果表明,爆破振动速度随着水平距离的增加总体呈衰减趋势,恒有垂直方向爆破振动速度远大于水平径向和水平切向,台阶边缘爆破振动速度存在局部放大现象;将台阶不同位置测点分成三类:Ⅰ类(包括全部测点)、Ⅱ类(包括水平地面测点、台阶中部、根部测点)、Ⅲ类(包括水平地面测点、台阶根部测点),分别应用萨道夫斯基公式和高程修正公式进行预测,发现高程修正公式的预测精度明显优于萨道夫斯基公式;Ⅲ类测点预测进度最优,Ⅱ类次之,Ⅰ类最差。建议进行边坡地形爆破振动速度预测时,只选取边坡台阶根部测点的振动速度进行预测分析。 相似文献
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76.
77.
层析成像技术被广泛应用于矿产勘查、油气开发及工程勘查和检测领域。基于运动学特征的走时层析成像方法计算效率较高,但精度较低。基于动力学特征的波动方程层析成像方法精度较高,但计算时间较长。Wavetracing层析成像方法在射线追踪方面简单、高效,能够提供与有限频率实际资料相一致的传播路径和旅行时。应用该方法对胜利油田垦71地区多对井间地震资料进行的层析成像速度反演取得了良好结果。 相似文献
78.
79.
PIN二极管子电路模型与微波限幅研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用一种改进的PIN二极管子电路模型,通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。 相似文献
80.