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991.
992.
靶功率对PEMSIP法TiN涂层相组成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
随着靶功率减小等离子体增强磁控溅射离子镀(PEMSIP)TiN涂层的相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展。靶功率对膜层硬度的影响主要是膜层相组成变化而引起的,由Ti_2N和TiN两相组成的膜硬度最高。由Ti_2N和TiN两相组成的刀具涂层使切削力下降,明显提高刀具耐用度。 相似文献
993.
994.
995.
新型磁控溅射法合成C_3N_4/TiN复合膜 总被引:3,自引:0,他引:3
本工作采用在封闭型非平衡磁场dc磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备C3N4/TiN复合交替膜,用获得的TiN对进行C3N4强迫晶化,X射线衍射(XRD)和电子衍射(TED)分析表明生成了立方氮化碳(c-C3N4)。交替膜的界面处有TiC的生成。 相似文献
996.
将水热合成的羟基磷灰石(HA)粉与20 wt%Ti粉混合,冷压烧结成靶材。采用射频磁控溅射方法,在工业纯钛基体上沉积TiO2/HA生物薄膜,通过扫描电镜(SEM)及其能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)和差热分析仪(TDA)对膜层进行了表征,探讨了溅射膜的晶化工艺。结果表明:由于选择溅射和OH-损失,溅射膜由TiO2晶体颗粒和非晶钙磷化合物组成,且其Ca/P比降低。经700℃,0.5 h水蒸气处理,非晶钙磷化合物结晶度大大提高,并部分转化为HA晶体,且处理后的溅射膜与基体间无裂纹。 相似文献
997.
磁控溅射法制备防水透湿织物 总被引:2,自引:0,他引:2
利用磁控溅射法制备了防水透湿织物。主要研究了功率、靶距、工作压力和沉积时间四个工艺参数对织物应用性能的影响。结果表明这四种参数对PET基防水透湿织物的拒水性能变化规律和改变程度各有不同,但对织物透气性,透湿性影响不大,基本上保持了原有织物的透气性及透湿性. 相似文献
998.
C. O. Jeong N. S. Roh S. G. Kim H. S. Park C. W. Kim D. S. Sakong J. H. Seok K. H. Chung W. H. Lee Dongwen Gan Paul S. Ho B. S. Cho B. J. Kang H. J. Yang Y. K. Ko J. G. Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(6):610-614
The Ag-alloy films have been investigated as source/drain materials applicable to thin-film transistor liquid-crystal displays
(TFT-LCDs). The Ag-alloy consisting of 0.9at.%Pd, 1.7at.%Cu (designated APC) showed a resistivity that was lower than one-half
that of AlNd. It also had good contact characteristics with amorphous Si (a-Si). In addition, the Ag/Si was stable after heating
to above 700°C, requiring no diffusion barrier to prevent reaction between Ag and Si. Pure Ag films deposited on glass by
DC magnetron sputtering showed severe hillock formation, hole growth, and agglomeration upon annealing in air. In comparison,
the APC-alloy film exhibited improved resistance to agglomeration. Further, inverted-staggered back-channel-etch hydrogenated
amorphous silicon (a-Si:H) TFTs using an APC-alloy film as a source/drain material had a threshold voltage of 4 V. A structure
of single layers of gate-APC alloys and source/drain-APC alloys leads to lower costs and productivity improvements of large-area,
high-resolution, active-matrix LCDs, such as 40-in. size panels through process simplification. 相似文献
999.
A chromium doped amorphous carbon (a-C) film was deposited by an unbalanced magnetron sputtering. A special designed double-V shaped stainless steel model in simulating a plastic injection mold gateway was used as the substrate to investigate the geometric effect on the uniformity of the film. It was found that, on both the side wall and bottom plane of the double-V shaped substrate, the film properties strongly depended on a geometric parameter, geometric aspect ratio, defined as the depth over width of the simulated gateway at the points under measurement. With the increase of the aspect ratio, i.e. approaching to the narrow end and/or closer to the bottom plane of the gateway, the film thickness and hardness decreased and the intensity ratio of the Raman sub-bands D over G increased. With the increase of the aspect ratio, the micro hardness of the a-C film decreased far more significantly on the side wall than that on the bottom plane. With increasing working gas pressure, the film thickness decreased consistently, and the hardness uniformity on both the side wall and bottom plane was improved. When the substrate negative bias voltage was changed from −70 to −100 V, the film uniformity (for both the thickness and hardness) was improved on the bottom plane, but degraded on the side wall. 相似文献
1000.