高分辨连续光源原子吸收光谱法测定钒铁中磷

由于P的共振线(178 nm)位于紫外真空区,直接用火焰原子吸收光谱法进行测定较为困难。而P在适宜比例的乙炔/空气火焰中,可产生一系列PO双原子分子吸收光谱,故可应用连续光源原子吸收光谱法对P进行定量分析。样品用硝酸和盐酸加热溶解完全后,在适宜比例的乙炔/空气火焰中以PO 327.04 nm为分析线,建立了高分辨连续光源原子吸收光谱法测定钒铁中P的方法。确定了高分辨连续光源原子吸收光谱仪的最佳工作条件为乙炔和空气流速比0.16,燃烧头高度12 mm,积分像素点9 pixl。实验表明:P质量浓度为5.0～80 mg/L范围内与其吸光度呈良好的线性关系,其线性方程为y=0.000 8 x+0.001 9,相关系数r为0.999 5。方法检出限为1.0 mg/L。样品中共存元素的干扰试验表明:基体元素V、Fe对测定P无干扰;Ca、Mg元素对P的测定虽有干扰,但样品中存在的Al因可以与Ca、Mg元素形成较为稳定的CaAl₂O₄和MgAl₂O₄化合物而消除了其干扰。采用实验方法测定钒铁标准物质和实际样品中P的测定,测得结果与认定值基本一致,相对标准偏差(RSD,n=11)为1.9%～4.4%。     

钒铁成分偏析影响因素及对策

介绍了V₂O₃电铝热法冶炼钒铁的特点,从钒铁冶炼工艺着手探讨了合金成分的偏析情况,得出了影响该合金成分偏析的主要因素,进一步对相关因素进行了分析,并针对性地提出了消除成分偏析的有关措施,对V₂O₃电铝热法冶炼钒铁生产具有一定的指导意义。     

两步法冶炼高钒铁技术探讨

采用650 kVA的电弧炉,探讨了两步法冶炼高钒铁的可行性。认为:控制合适的富渣量是问题的关键。并且两步法冶炼高钒铁能使钒的回收率提高到97.28%,与一步法冶炼高钒铁相比提高约1.8%。     

高钒铁冶炼脱硫技术研究

V_2O_3电铝热法冶炼FeV80没有专门的脱硫工序,原辅材料中大部分硫进入合金,造成合金中S含量偏高甚至超标。文章分析了冶炼过程中S的分布方向,提出选用碳酸钠作为脱硫剂,并对碳酸钠脱硫进行了热力学和动力学分析,对降低高钒铁S含量、提高产品质量有一定的指导意义。     

2Cr13钢的表面气体渗氮处理

用光学金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射(XRD)仪及显微硬度计对经气体渗氮处理的2Cr13钢试样进行了组织结构分析,并利用销-盘摩擦磨损试验机对渗氮的盘与未渗氮销摩擦副进行摩擦磨损试验.结果表明,520℃×20 h渗氮可使2Cr13马氏体不锈钢的渗氮层深度达到165 μm,处理后试样的显微硬度约为处理前的2.5倍.处理后试样的耐磨性能得到了较大的提高,渗氮盘试样的磨损表面未出现裂纹,而未渗氮销的磨损表面存在严重的裂纹.     

球铁基体组织对QPQ盐浴渗氮层深度和耐磨性的影响

对不同铁素体含量基体组织的球墨铸铁进行了QPQ盐浴渗氮试验,对渗层进行了显微组织观察和物相分析.试验结果表明,渗层组织中主要为Fe_3O_4和Fe_2N相,且基体组织中铁素体含量越高,渗层越厚.通过对不同基体组织的球墨铸铁进行QPQ处理前后磨损速率的比较,结果表明经QPQ处理后的球墨铸铁试样磨损速率为QPQ处理前的4.3%～19%.     

V_2O_5直接制备氮化钒铁过程研究

针对V_2O_5直接制备氮化钒铁工艺,采用TG-DSC和扫描电子显微镜(SEM)表征分析了体系反应过程及微观组织与元素分布,并分析了各影响因素对产物含氮量的影响。结果表明,670℃左右,碳还原V_2O_5的反应开始显著发生,1 000℃以上时,碳化反应开始发生,温度达1 200℃左右,开始出现氮化反应。反应温度、保温时间和配碳系数等因素对氮化钒铁含氮量均有较明显的影响。较适宜的制备工艺参数为:高温反应温度1 400℃、保温2h、配碳系数0.35,在该条件下制得的氮化钒铁含氮量可达11.26%,合金中其它元素含量分别为钒46.31%、铁36.87%、碳1.21%、硅1.98%、铝1.94%,符合GB/T30896-2014标准。SEM结果表明,利用V_2O_5直接制备氮化钒铁,铁主要以夹杂形式均匀分布在氮化钒铁主相间,且氮、钒、铁三种主元素的分布较均匀。     

推板窑生产氮化钒铁合金的研究

以三氧化二钒、石墨、铁粉为原料,在推板窑中生产氮化钒铁铁合金。采用XRD、FESEM、EDS和ICP对合金产品的物相组成,形貌和元素成分进行测试分析。结果分析表明,在保持三氧化二钒和铁粉含量不变的情况下,随着碳粉给量的波动,对高钒合金中V、N含量影响不大,对Fe有一定的影响,而对低钒合金中N含量几乎没影响,反而对V、Fe含量影响很大;在反应过程中铁粉可以做为催化剂及粘结剂使用。     

等离子发射光谱法测定钒铁中的铜、硅、铝、磷、铬、镍、钨、锰

叙述采用等离子发射光谱法同时测定钒铁中的铜、硅、铝、磷、铬、镍、钨、锰等微量元素 ,试样用稀王水分解 ,选择适当的波长与背景校正进行分析测定 ,方法回收率在 95%～ 1 0 5%之间 ,相对标准偏差均小于 4% ,本方法快速准确 ,精密度良好。     

高性能70nm CMOS器件

首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件。为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技术,包括3nm的氮化栅氧化介质,多晶硅双栅电极,采用重离子注入的超阱倒掺杂沟道剖面,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等。CMOS器件的最短的栅长（即多晶硅栅条宽度）只有70nm,其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA/um;而PMOS阈值电压、跨导和有关电流分别为-0.3V、340mS/mm和0.2nA/um。并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器,其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级。