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笔者设计的夹具是用于在卧式铣床上对于凸轮轴铣半圆键槽的专用夹具,主要由夹具体、定位元件(V型块)、夹紧元件(压板)、夹紧机构(斜楔联动夹紧)等组成。在设计中,分析了零件图、夹具的结构特点、夹具工作原理,计算了定位误差、夹紧力,从而保证了该专用夹具能够用于加工该工件的可靠性、高效性。 相似文献
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123.
通过对变速叉轴锥孔设计尺寸及使用要求的分析,对原来变速叉轴直孔综合检具的设计进行了改进.使得新的综合检具能较好地适应其加工及检测要求。 相似文献
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The span and length to diameter ratio of the large-scale crankshaft are big,and the structure and the distribution of crank pins are complex.Thus it is easier for crankshaft to generate biggish torsional deflection which finally influences the contour precision of the crank pin in tangential point tracing grinding.Based on the analyses of force and torsional deformation of the crankshaft under different crankshaft driving modes of the headstock and the tailstock,the relationship between torsional deformation and rotation angle error of the crankshaft in tangential point tracing grinding is discussed in this paper.According to crankshaft rotational motion and wheel frame coordinated motion in tangential point tracing grinding,contour error of the crank pin caused by torsional deflection is established under different crankshaft driving modes.The simulation results show that minimum contour error of the crank pin can be obtained when crankshaft is synchronously driven by both the headstock and the tailstock,and speed error does not exist in tangential point tracing grinding. 相似文献
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Ikunori Takata 《Electrical Engineering in Japan》2009,167(4):47-56
Analytical models of the pin diode in a small‐current operation are not known yet. This article presents a simple analytical model of the pin diode operation with its confirmation by a numerical simulation. At the onset, carrier recombinations are not included for the sake of simplicity. The exact JF?VF characteristic could have been induced only by accounting for the Boltzmann distribution of each carrier across the junctions and the diffusion current of each minority carrier in a p‐anode or n‐cathode. Based on this new model, the modifications of hole–electron densities product (nenh) across junctions, a rough estimation of the large operational current, its carrier distributions, and the effect of carrier recombination on the carrier distribution are plainly estimated and are also compared with the simulation results. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 167(4): 47–56, 2009; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.20844 相似文献