矿用变电站STATCOM双机运行问题

国家对电能质量的要求愈来愈高,无功补偿及谐波治理问题是制约电能质量提高的关键因素。STATCOM作为目前中低压无功补偿及谐波治理领域的最先进技术,得到了广泛的应用。由于对电力系统稳定性的依赖,大部分矿用变电站都采用多台变压器并联运行,而单台STATCOM的装置容量都有限,在大部分场合都采用同时安装多台STATCOM装置在并联变压器的二次侧。由于受负荷不均的影响,变压器间会存在一定的能量流动。能量的流动会使补偿装置间形成环流震荡,甚至使装置输出电流发散,使补偿系统崩溃,这对变压器并联运行工况下的无功补偿及谐波治理问题提出了新的挑战。提出了一种基于硬件采样改进的简化分布式互联控制方法,有效的避免了装置间的环流和电流发散问题,可对多台变压器并联运行的无功补偿及谐波治理问题研究提供参考。     

Optical properties of CdSe quantum dots grown on ZnSe and ZnBeSe by molecular beam epitaxy

We report detailed studies of the optical properties of CdSe quantum dots (QDs) grown on ZnSe and ZnBeSe by molecular-beam epitaxy (MBE). We performed steady-state and time-resolved photoluminescence (PL) measurements and observe that nonradiative processes dominate at room temperature (RT) in the CdSe/ZnBeSe QDs structures, though these nonradiative processes do not dominate in the CdSe/ZnSe QDs structures up to RT. We performed secondary ion-mass spectrometry (SIMS) measurement and propose that the oxygen incorporation in the ZnBeSe layers (possibly caused by the reactivity of Be) may contribute to the dominant nonradiative processes at high temperatures in the QDs grown on ZnBeSe.     

基于循环谱包络的BPSK信号码元速率改进估计算法

采用频域平滑周期图法估计循环谱,分析了循环谱包络的谱特征,推导出了谱峰幅度和位置值,提出了一种基于循环谱包络BPSK信号的码元速率估计的改进算法,给出了信号估计的具体步骤,分析了估计算法的性能．进行了计算机仿真实验。仿真结果表明该估计算法可适用于较低信噪比情况,无需多维搜索。     

降低船用连续波雷达虚警概率的海杂波抑制方法

为了解决海杂波引起的船用连续波雷达虚警概率增大,以及海杂波抑制算法工程应用难度大的问题,提出了一种工程实用的海杂波抑制方法。首先,通过双参数删除型CFAR检测算法和统计检测算法进行二次检测;然后,依据邻近帧之间目标回波相关性较强和片状海杂波相关性较弱的特点进行帧间处理。仿真和海上实验均表明,应用该方法的船用连续波雷达可以降低不同强度的海杂波背景下的虚警概率。     

SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用

文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。     

移动自组网路由恢复算法的研究

移动自组网是由一组带有无线收发装置的移动终端组成的自治通信系统.煤矿井下移动自组网可应用于矿井的监控管理系统、数据采集系统或者应急通信系统.移动自组网的路由方案主要包括表驱动(Proactive)和按需驱动(Reactive)两种,AODV是一种代表性的按需驱动算法.文中介绍了利用辅助路径基于AODV的一种矿井移动自组网的路由恢复算法,给出了辅助路由算法的性能测评方案.     

数字化电池分析与军事应用

通过对二次电池数字化的分析,提出数字化电池在军事应用的重要性。通过电池智能控制器件一集成现场可编程电量计PS501．实现电池的数字化。     

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。     

基于ANT的LED智能照明控制系统设计

介绍了ANT无线网络协议的技术特点,基于单片机和第二代ANT网络芯片nRF24AP2进行了LED智能照明控制系统的软硬件设计,该系统具有低成本、低功耗和安装灵活等特点,可用于家庭、办公楼和大型场馆等室内照明,也可以应用于交通和景观等室外照明。