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911.
SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。 相似文献
912.
连锁换相失败是交直流混联电网的新型连锁故障形式之一。结合连锁关系在换相失败相关现象中的体现和参与环节,文中提出了一种在关键线路短时调节阻抗以降低耦合的抑制策略,重点讨论了策略的实施位置。在加权网络模型的基础上,基于直流分群界定了换相失败的连锁范围。在直流群内搜索对直流耦合关系影响较大的关键路径,并采用潮流介数比较各线路阻抗变化对系统运行状态的冲击,以避免在重要线路采取措施。针对不同的扰动,利用换相电压时间面积判断需要启动策略的直流群,从而实现有差别的连锁换相失败抑制。在修改的IEEE 39节点系统和某省市电网算例中,利用PSCAD/EMTDC开展仿真,结果均验证了关键线路阻抗短时调节策略抑制连锁换相失败的效率和有效性。 相似文献
913.
列车和轨道之间的开放约束条件决定了车辆脱轨的客观存在。轮轨接触区域边缘曲线分割对列车轮轨接触关系的研究具有重要意义,提出了一种基于生成对抗网络的轮轨接触区域边缘曲线分割算法。通过将残差模块引入生成器网络中,增强了网络对输出变化的敏感程度,进而更好的调整生成器权重。此外,膨胀残差模块的引入,有效扩大了特征图的接收区域。实验结果显示,改进的生成对抗网络对轮轨接触区域边缘曲线的分割准确度达到9613%,敏感度、特异度、F1值、ROC曲线下的面积分别为8390%、9713%、8367%和9812%,验证了该方法能够准确分割轮轨接触区域边缘曲线。 相似文献
914.
916.
DESPITE of the rapid development of computerfacilities and numerical methods of computing thestress-strain state of large-size parts,the accuracy ofcomputations is not sufficient because of the lack ofaccurate input data.For this reason,heat treatingengineers do not trust computations and are afraid ofquenching of large-size parts in water,in particular,when Bi—>°°.There are some causes of suchsituation:1)Because of inaccurate boundary conditions andincomplete information on mechanical p… 相似文献
917.
918.
919.
氢致开裂和应力腐蚀机理的前沿问题 总被引:6,自引:0,他引:6
褚武扬 《腐蚀科学与防护技术》1993,5(3):151-157
本文对各种氢致开裂和应力腐蚀机理进行了评述。指出,把氢促进局部塑性变形和弱键理论以及氢压理论联合起来就有可能发展新的氢致开裂机理;必须深入研究阳极溶解对位错发射,增殖和运动的影响才能提出合理的阳极溶解型应力腐蚀的机理。 相似文献
920.
Different metallurgical processing, including the standard heat treatment, heat treatment without β aging, addition of high
amount of Cr, and long-term isothermal exposure, was conducted on superalloy Inconel 783. For these processed materials, the
tensile property and hardness at room temperature and stress relaxation behavior at 650 °C were examined. The testing results
showed that isothermal exposure and heat treatment without β aging slightly enhanced the yield strength of alloy 783 at room
temperature as well as all metallurgical processing in this study produced an identical stress relaxation behavior at 650
°C. The microstructure variation with different processing was analyzed using optical microscope, scanning electron microscopy
(SEM), and transmission electron microscopy (TEM). 相似文献