熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度理论计算公式的研究

从理论上推导出熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式和CuW合金化学成分与W骨架压坯密度的关系公式,分析并提出了W骨架压坯密度的控制范围。用化学分析方法测定了CuW合金的化学成分,用分析天平测试了CuW合金的密度。结果显示：熔渗方法制造的CuW触头材料,使用压坯密度理论计算公式确定的W骨架压坯,熔渗Cu后CuW合金实际化学成分与成分设定值吻合很好,CuW合金实际密度与密度设定值也吻合很好,并符合GB／T8320标准和用户的使用要求。实验证明,用熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式,能正确地计算出W骨架压坯的密度,是一种合理的计算方法．对CuW触头材料的制造具有指导意义。     

激光熔覆技术研究

利用激光在PCrNi1Mo钢上熔覆纯Cr粉末,采用多道搭接激光熔覆技术获得了最佳的激光熔覆工艺参数。实验结果表明,激光熔覆层均匀连续,无宏观气孔和裂纹,激光熔覆层与基体发生了冶金结合。     

栎黄枯叶蛾触角感器的扫描电镜观察

利用扫描电镜对栎黄枯叶蛾成虫（ Trabala vishnou gigantina）触角进行了观察。结果表明：栎黄枯叶蛾雌雄蛾触角上均含有5种感器：毛形感器、刺形感器、鳞形感器、栓锥形感器和Bohm氏鬃毛,其中毛形感器最发达。各种感器在雌、雄蛾触角上类型和分布大体相同,只是在数量上有所不同。该结果可为进一步研究信息素对栎黄枯叶蛾的行为功能提供依据。     

PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度

在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。     

Surface shape control of the workpiece in a double-spindle triple-workstation wafer grinder

Double-spindle triple-workstation(DSTW) ultra precision grinders are mainly used in production lines for manufacturing and back thinning large diameter(≥300 mm) silicon wafers for integrated circuits.It is important, but insufficiently studied,to control the wafer shape ground on a DSTW grinder by adjusting the inclination angles of the spindles and work tables.In this paper,the requirements of the inclination angle adjustment of the grinding spindles and work tables in DSTW wafer grinders are analyzed.A reasonable configuration of the grinding spindles and work tables in DSTW wafer grinders are proposed.Based on the proposed configuration,an adjustment method of the inclination angle of grinding spindles and work tables for DSTW wafer grinders is put forward. The mathematical models of wafer shape with the adjustment amount of inclination angles for both fine and rough grinding spindles are derived.The proposed grinder configuration and adjustment method will provide helpful instruction for DSTW wafer grinder design.     

铝/钢异种金属无钎剂激光填粉熔钎焊接

采用宽带激光光斑和填粉焊接技术,在不使用钎剂的情况下进行6061铝合金/镀锌钢板的熔钎焊接实验。分析测试了接头成形、焊缝组织和接头强度,并探讨了影响接头强度的因素。结果表明,采用此方法可实现6061铝合金/镀锌钢板的熔钎焊连接。选用优化的焊接工艺参数获得了成形饱满,无裂纹、气孔等缺陷的焊缝。焊缝熔宽和金属间化合物层厚度随焊接热输入量的增加而增大。熔钎焊缝中金属间化合物由Al-Fe和Al-Fe-Si系统化合物组成。拉伸试样均断裂在钎料/镀锌钢界面,接头最大机械抗力为152.5 N/mm,断口呈脆性断裂特征,钎料/镀锌钢界面为接头的薄弱环节。拉伸试样铝一侧断裂面由Al5Fe2Zn0.4和α-Al组成。焊缝熔宽、金属间化合物层厚度共同决定了接头的机械抗力水平。     

粉末材料性能对SLM模型制造过程影响的研究

区域选择激光熔化(SLM)技术是金属模型和零件直接制造方法之一。采用相同激光参数加工不锈钢、工具钢、钛合金、铝合金等金属粉末时,铝合金粉末发生成球结晶现象,而其他金属粉末则形成致密的冶金结合。在模型加工过程中,铝合金粉末表现出铺粉性能差,制成的模型表面质量差等现象。由于不同的金属粉末具有不同的对激光的吸收能力、热传导、比热容、比重等性能,造成了上述加工过程和加工质量的不同。文章分析了具体原因,并采用简化的有限元计算证明了不同材料的热物理性能对这一激光加工过程的影响。     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。     

覆铜板用二氧化硅粉水萃取液呈酸性原因探讨

球形超细二氧化硅粉样品,经过水萃取处理后,分别利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测试水萃取液中金属杂质含量,利用场发射扫描电镜(SEM)测试微粉表观形貌,并结合X射线能量色散谱分析(EDS)球形粉表面微区分析,结果表明,球形二氧化硅粉在球形化过程中,由于颗粒度大部分为纳米级,纳米级二氧化硅粉体具有高的比表面积,因而表面吸附燃气燃烧后二氧化碳气体作用较二氧化硅微粉显著增强,结果水萃取后二氧化碳溶于水,生成碳酸,这是水萃取液呈酸性的主要原因。     

稻壳灰显微结构及其中纳米SiO2的电镜观察

对低温稻壳灰纳米尺度的显微结构进行了SEM、TEM(SAD)研究,首次发现稻壳灰由纳米尺度的SiO2凝胶粒子(～50 nm)疏松地粘聚而成.稻壳灰结构中除了以往报道过的微米尺度的蜂窝孔(～10μm)外,还含有大量由SiO2凝胶粒子非紧密粘聚而形成的纳米尺度孔隙(＜50 nm).纳米尺度的SiO2粒子和纳米尺度的大量孔隙是稻壳灰具有巨大的比表面积(50～100m2/g)和超高火山灰活性的根本原因.