砷化镓毫米波器件

叙述了GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。     

集成半导体器件的工作稳定性与频响设计

本文用频响特性与试验研究相结合的方法,对三个微电子产品实例进行模拟,讨论了如何设计补偿元件,防止自激振荡,保证闭环稳定且满足各项性能指标要求的问题。     

基于Multi-agent改进粒子群优化算法的分时电价机制下多微网系统联合优化调度

随着分布式能源与微网技术的发展,大量分布式电源或微网并入主电网,对电网运行带来一定影响。针对多个微网接入主电网的情况,在计及分时电价机制的基础上,从微网整合角度考虑各微网间的互补性。结合微网中储能装置对电网削峰填谷的作用,提出一种基于分时电价机制下多微网系统联合优化调度方法。考虑不同时刻电价差异,分别制定峰、平、谷不同时刻调度策略,建立以整个多微网系统的运行成本和环境治理成本最小为目标的数学优化模型,并采用基于multi-agent改进粒子群优化算法对模型求解。通过算例分析,比较了各微网单独运行和多微网联合调度两种策略下的多微网系统成本,验证了所提方法的有效性。     

Status and application of HgCdTe device modeling

In this article, device modeling refers to numerical simulation of semiconductor device physics to predict electrical behavior. The silicon integrated circuit industry provides the example for the use of technology computer-aided design to simulate wafer fabrication processes, and the electrical performance of devices and circuits. This paper first reviews semiconductor device modeling in general, then as applied in work supporting the development and analysis of HgCdTe infrared detectors. Example applications of one- and two-dimensional device modeling are simulation of a bias-selectable, integrated two-color detector, and two-dimensional effects on the spectral response of a HgCdTe detector with composition grading.     

新型显示器件进展

介绍了有源（光发射）和无源（光反射）显示器件－气体－电子－荧光粉显示，冷阴极场致发射矩阵平板显示、电泳成像显示和电化学显示器件等的发展情况。     

CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究

采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚或斜率减小，且阈电压漂移增加。     

基于微型光电设备的典型靶标形状识别引导

针对无人机回收中采用图像方式进行导航给靶标识别跟踪可靠性带来的巨大挑战,基于多自由度微型光电设备对典型靶标识别引导进行研究,重点研究基于典型靶标对无人机进行视觉引导.通过颜色分割和形状识别快速捕获典型靶标,对靶标进行精确的空间姿态、运动信息测量,结合多自由度微型光电引导设备的空间角位置、角速度等姿态测量信息,计算无人机引导参数,并通过典型靶标识别仿真.结果表明:利用颜色分割和形状识别方法可以快速的捕获靶标,同时结合微型光电设备的测量数据,可以较好地实现无人机引导参数的精确计算.     

超声跟踪法制作误差对器件性能的影响及补偿

研究发现快模入射超声跟踪氧化碲器件的布喇格损耗频响对于参数误差十分敏感,因而制作误差可能对器件性能有较大影响。本文系统研究了这种影响及其补偿方法,结果表明,当相邻两换能片之间中心距S有5%的误差和声偏置角丫_0有10%的误差时,通过调整入射角θ_1可作出完全的补偿。     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。