微波合成CdS纳米颗粒的光致发光和光催化性能

本文用微波液相法成功合成分散均匀的纳米 CdS 颗粒,并采用 XRD 和 TEM 技术分别表征产品结构和形貌。作为光致发光(PL)材料,样品在300nm 波长激发下,出现波峰位于在602nm 的发射光谱。首次提出由于 CdS 半导体材料表面发生光腐蚀,即 Cd~(2 )离子吸收电子后,还原为单质Cd,并沉积在 CdS 固体表面,从而阻止光催化反应继续进行的新观点。     

亚温淬火工艺对球铁强韧性的影响

研究了原始组织为马氏体和珠光体的球铁经亚温淬火后的强韧性,并与普通淬火、回火球铁的性能作了比较。     

Lagrangian颗粒运动方程的分析和求解

本文回顾和分析了目前所导出的流场中Ｌａｇｒａｎｇｉａｎ颗粒运动方程，获得了ＢＢＯ方程的通解，并给出了我们所给出的颗粒运行方程的线性微分方程形式。利用此方程求解了颗粒绕流一直列叶栅的运行轨迹。     

核心更新——Gigabyte GV-RX165P256D-RH

这块显卡采用的是最新的ATi Radeon X165CPro显示核心，板载256MB 128bit 1.4ns Infimeon GDDR3显存颗粒。X165CPro的研发代号为RV530。该显示核心拥有12条像素渲染管线和5个顶点处理单元。可以说在规格上与Radeop X1600XT较为相似。     

亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型

本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.     

非均相成核中间相炭微球的形成过程及其结构演变

以含有喹啉不溶物的煤焦油沥青为原料，在410℃、不同反应时间下获得一系列中间相炭微球(MCMB)和小于0．5μm的碳质颗粒(SCP)。通过对中间相沥青的软化点、族组成和MCMB、SCP的形貌及MCMB断面结构的分析，认为非均相成核MCMB的形成和生长过程不同于均相成核的融并生长过程，而是SCP碳质颗粒的构筑过程，我们称之为“球形基本单元构筑”过程。在MCMB生长过程中，体系的黏度对SCP的形成和MCMB的生长起着重要的作用。非均相成核MCMB的内部结构不是三种模型结构(“地球仪”型、“洋葱”型和“同心圆”型)中的任一种，而是炭层具有收缩点的复杂结构，并且球体的结构不具有“继承性”，即随着反应时间的延长而不断发生变化和调整。MCMB内部分子在球体生长过程中的主要变化趋势是分子的不断缩合长大，而不是分子片层的平行趋向。     

含锂霞石颗粒和硼酸铝晶须的铝基复合材料

为了制备具有低热膨胀系数和较高强度的复合材料，选用具有负体膨胀系数的β-锂霞石颗粒和高强度的硼酸铝晶须作为复合材料组分，用挤压铸造法制备了6061铝基复合材料，并对该复合材料的显微结构、拉伸性能和热膨胀性能进行了研究，结果表明，该复合材料能同时获得较低的热膨胀系数和较高的强度；通过改变复合材料中β-锂霞石和硼酸铝的体积分数，在较大的范围内可以对复合材料的强度和热膨胀系数进行设计和调节。