SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响.利用改进的SiO2反应离子刻蚀工艺,得到了传输损耗极低的SiO2光波导.     

包钢5#高炉炉缸侧壁温度升高原因分析和处理

文章对包钢5~#高炉炉缸侧壁温度升高的原因进行了分析并总结了治理经验,通过实施护炉措施,配加含钛炉料进行护炉,5~#高炉炉缸侧壁温度升高得到了有效的控制,将炉缸侧壁温度控制在安全范围之内,保证了安全生产和高炉长寿。     

邯钢8号高炉炉缸侧壁温度升高的原因及治理

邯钢8号高炉1号铁口下方炉缸侧壁热电偶温度开始升高,最高达到1047℃,严重威胁高炉的安全生产.分析认为内衬侵蚀、焦炭质量下滑、出铁质量不高及炉缸窜煤气是此次炉缸侧壁温度升高的主要原因.通过采取适当降低冶炼强度、提高入炉钛负荷、发展中心气流、改善出铁方式及加强铁口冷却与监控等一系列治理措施,8号高炉炉缸侧壁温度得到了良...     

微小型光开关侧壁反射镜光路传输效率优化方法

提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输效率测试实验。结果表明,经聚焦离子束刻蚀后,微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度由190 nm减小到56 nm,光路传输效率由10.2%提高到39.1%。     

酒钢1号高炉炉缸侧壁温度升高的治理

酒钢1号高炉炉缸侧壁北铁口、南铁口下方等处温度持续上升,点TE2507B最高达到923℃,威胁到安全生产.炉缸冷却壁与炭砖之间存在气隙、炉况较长时间存在异常、有害元素偏高、冶炼强度逐步增加是炉缸侧壁温度升高的主要原因.通过采取含钛炉料护炉、堵风口、优化高炉操作制度、灌浆及加强铁口维护等措施,炉缸侧壁温度上升趋势得到有效...     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.     

基于Flothem的侧壁风冷机箱结构热仿真

随着电子设备热流密度的日益增加,对于电子设备结构设计的散热要求也在逐渐提升,通过三维建模得到侧壁风冷机箱及内部模块的散热结构,随后通过使用Flothem软件对其中的关键部位进行了热仿真分析,得到关键芯片壳温,经数据对比,满足正常工作的散热要求,进而验证了该机箱散热结构设计的合理性。     

穿心式测力环弹性体的结构优化设计

本文主要针对穿心式测力环的工作原理,通过建立结构模型及理论计算,详细分析了在不同环体高度、不同边界条件下测力环弹性体截面的受力分布特点,揭示出传统结构形式的测力环产生测试误差的原因,确定出了弹性体结构上反映应力状态的最佳截面位置为沿环壁厚方向的中轴线截面。依此针对性地设计了侧壁开孔式环体结构形式,并通过理论分析和加载试验,验证了在有限高度下弹性体结构最佳截面处的应力、应变在不同边界条件下的分布规律比环壁外侧处变化平缓,这表明优化后的结构形式更能适应不同边界条件的影响。最后引入光纤光栅作为测试元件和优化后的环体结构一起构成测力环,并在张拉平台上进行试验,进一步验证了测力环的工程应用性能。结果表明该项研究对于穿心式测力环技术的开发及应用具有一定参考价值。     

一种硅微机械陀螺制造方法研究

给出了一种硅微机械陀螺制造方法,该方法可适用于各种不同的微机电系统(MEMS)器件,包括加速度计、剪切应力传感器及MEMS光开关等。利用该方法制备了硅微机械陀螺,并给出了该陀螺的性能测试结果。同时分析了利用该方法制备各种不同器件时,工艺流程对器件性能的影响,重点讨论了硅-玻璃阳极键合、减薄工艺及深刻蚀所形成的侧壁质量,包括侧壁垂直度、侧壁杂质等因素对器件性能的影响。