侧壁辅助进气微小流化床内纳米颗粒流化特性的数值模拟

基于双流体模型,使用计算流体动力学软件Fluent6.3,对气固微小流化床（床高220 mm,内径20 mm）内侧壁辅助进气纳米颗上流化特性进行了数值模拟,考察了床内固含率和颗粒运动的分布规律,系统地研究了侧壁开孔位置对颗粒流化质量的影响.结果显示：设计向上倾斜角为60.的侧壁辅助进气口距床底10 mm的流化床性能最好,能大大强化床内颗粒的内循环,提高颗粒的离散性,明显抑制颗粒的沟流和粘壁运动.     

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱（XRF）、扫描电镜（SEM）等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜（TEM）及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm^2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液（SPM）在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.     

左右端盖注射模设计

通过对左右端盖塑件的工艺分析,阐述了侧壁带型孔的典型塑件注射模设计注意事项。此模具结构简单适用,为同类型该零件的模具设计可提供一定的借鉴作用。     

炼铝用新型电极材料

介绍了现代铝工业新近开发研制的几种电极材料,其中包括惰性阴性、惰性阳极、双极性电极和绝缘侧壁,以及它们的功能和发展前景。     

无规圆机轧线生产高精度圆钢的探讨

通过对圆钢成品孔型成熟设计和轧制成型的分析,提出了国标圆钢不圆度较合理的测定方法以及圆钢成品孔型设计的发展趋势。     

滤筒除尘器喷吹孔孔径的优化

【目的】为控制各个喷吹管气流量的均匀性,对喷吹管上的喷吹孔径进行优化,提高滤筒除尘器清灰效果。【方法】自制高压脉冲喷吹气流量测量装置对现有喷吹管气流量进行测定,采用光纤传感分析仪测试除尘器滤筒各部分的侧壁压力峰值,分析各滤筒清灰效果不均匀的原因;以滤筒各部位侧壁压力峰值作为清灰均匀性效果评估指标,优化喷吹孔径。【结果】优化前4个喷吹孔径均为19 mm,喷吹孔的气流量依次为13.69、 14.78、 16.03、 16.93 L,对应4个滤筒上、中、下部侧壁压力峰值的最小值分别为最大值的37%、 26%、 20%,气流量均匀度标准差为1.41;优化后4个喷吹孔径分别为23、 20、 18、 17 mm,喷吹气流量依次为14.05、 15.08、 15.87、 16.13 L,对应4个滤筒上、中、下部测壁压力峰值的最小值为最大值的56%、 56%、 53%,气流量均匀度标准差降为0.93。【结论】优化后的喷吹管气流量均匀化程度提高,可实现滤筒除尘器的均匀清灰。     

栅侧壁隔离层对45nm NOR闪存栅极干扰的影响

为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si3N4和SiO2-Si3N4-SiO2-Si3N4 (ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,对编程后、循环擦写后的闪存器进行栅极干扰的测试,讨论了不同栅侧壁隔离层对栅极干扰的影响.结果表明,虽然纯氧化硅隔离层可减少NOR自对准接触孔(SAC)刻蚀时对侧壁隔离层的损伤,但其在栅极干扰时在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)处有更高的电场,从而在栅干扰后阈值电压变化较大,且由于在擦写操作过程中会陷入电荷,这些电荷在大的栅极电压和长时间的栅干扰作用下均会对闪存器的可靠性产生负面的影响.ONON隔离层的闪存器无可靠性失效.因此以ONON作为侧壁隔离层比以纯氮化硅作为侧壁隔离层的闪存器件具有更好的栅干扰性能.     

微小型光开关侧壁反射镜光路传输效率优化方法

提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输效率测试实验。结果表明,经聚焦离子束刻蚀后,微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度由190 nm减小到56 nm,光路传输效率由10.2%提高到39.1%。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.     

基于Flothem的侧壁风冷机箱结构热仿真

随着电子设备热流密度的日益增加,对于电子设备结构设计的散热要求也在逐渐提升,通过三维建模得到侧壁风冷机箱及内部模块的散热结构,随后通过使用Flothem软件对其中的关键部位进行了热仿真分析,得到关键芯片壳温,经数据对比,满足正常工作的散热要求,进而验证了该机箱散热结构设计的合理性。