威刚A-DATA DDR2 533内存

威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1．8V工作电压，且依据JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）的标准规范，采用最先进的0．10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒，成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计，让主机板不用在内存旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW（时钟讯号偏离），提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能，使DDR2 533成功突破DDR的速度限制，缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果，真正达到每秒3．2G的极速资料传输带宽。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

汉芯，IC时代的弄潮儿

2003年2月，上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0．18微米半导体工艺，具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定：属于同内首创，达到了国际先进水平，是中国芯片发展史上重要的里程碑。     

微米／纳米技术及其应用

介绍了当前国际上关于微米、纳米技术及其在微型机械、微型机械电子系统以及在专用集成型仪器等方面的应用。     

微机电系统(MEMS)与纳机电系统(NEMS)

微机电系统(MEMS)和纳机电系统(NEMS)是微米/纳米技术的重要组成部分.MEMS已经在产业化道路上不断发展,NEMS还处于基础研究阶段.本文强调了制造技术是微/纳机电系统发展的基础,在简单地介绍了典型的MEMS和NEMS器件和系统后,讨论了MEMS和NEMS发展中的几个问题和MEMS和NEMS的发展前景.     

从战略高科技角度看纳米包装的产业化

微米技术的出现带来了改革世界的数次工业革命，第一次工业革命带来了蒸汽机，拖拉机等，第二次工业革命造就了电力时代，第三次工业革命是计算机信息时代。有人预言，未来的任何一次工业革命都将与纳米技术有着密切的联系，它将给人类带来更方便，更美好的新生活。     

微米级冷轧带钢厚度控制系统

分析、讨论了冷轧应用的各种厚度控制的优缺点，介绍质量流量厚度控制原理和控制精度极高的微米级带钢厚控（μＡＧＣ）系统及其可能产生的经济效益。     

面向汽车全套串行EEPROM设备

Integrated Silicon Solution(ISSI)公司面向汽车市场推出全套系列的串行电可擦除只读存储器设备。新产品系列覆盖的范围从1K至64K，支持12C、Microwire与SPI接口协议。新设备由中芯半导体(SMIC)采用0．35微米工艺技术生产，可使待机功耗减少25％，并使SPI设备的速度增至10MHz，可用于各种需要存储独特代码或用户界定代码的汽车应用，包括遥控门锁、带记忆的电动座椅与车镜、无线电设备、里程表及报警系统。