利用搅拌铸造结合超声处理法制备镁基复合材料

在目前的研究中,利用搅拌铸造结合超声处理方法成功地制备出了不同体积分数(5vol%和10vol%)的微米颗粒增强的AZ31B镁基复合材料。利用350℃,12:1的挤压比对铸锭进行了挤压处理。利用金相和扫描电子显微镜对复合材料的微观结构进行了研究。复合材料的微观结构显示,增强体具有相对均匀的分布且晶粒获得了显著的细化。微米碳化硅颗粒的存在可以显著的提高基体合金的显微硬度﹑弹性模量以及抗拉伸强度。此外,复合材料的显微硬度﹑弹性模量以及抗拉伸强度随着微米颗粒含量的增加而增加。     

PCS亚微米及纳米颗粒粒度测量仪的研制

介绍一种利用光子相关光谱技术进行亚微米及纳米颗粒粒度测量的PCS粒度仪的工作原理和设计。     

等离子喷涂纳米ZrO2陶瓷表面涂层的热震性能研究

对比研究了等离子喷涂Y2O3稳定的纳米与微米ZrO2涂层的组织结构及性能。结果表明，两种涂层有不同的相结构；纳米ZrO2涂层组织更加细密，铺展性更好，气孔率较低；两种涂层硬度相近；纳米ZiO2涂层的热震性能明显高于微米ZiO2涂层。     

负载缓蚀剂的微米容器对涂层防腐性能的影响

采用水热法合成了氧化锌中空微米球(ZHM),通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)对其进行形貌及晶体结构的表征,以浸渍法将苯并三氮唑负载到ZHM中,得到负载了苯并三氮唑的氧化锌中空微米球(ZHM-BTA),并通过红外光谱(FT-IR)对其进行了表征。将ZHM-BTA加入到环氧树脂中,在铜基体上制备了功能涂层,利用动电位极化曲线和交流阻抗谱考察了ZHM-BTA对涂层缺陷处金属腐蚀的作用。结果表明,向涂层中掺杂ZHM–BTA可以阻止涂层缺陷引起的腐蚀,ZHM–BTA对涂层缺陷具有一定的愈合作用。     

纳微米聚合物驱油室内实验及数值模拟研究

用模拟污水配制了纳微米聚合物溶液,在未膨胀和预膨胀条件下,进行了室内封堵实验。结果表明,纳微米聚合物可顺利注入储层,膨胀后可以有效地封堵高渗透层,在一定压力下发生突破和运移,可实现逐级封堵。根据纳微米聚合物驱油渗流特点,建立了三维三相三组分纳微米聚合物调驱数学模型。考虑到对流扩散和调驱渗流特性,采用隐压、显饱、隐浓的差分方法求解该数学模型,并编制了相应的数值模拟软件。在大庆龙虎泡油田纳微米聚合物驱油矿场试验区进行了数值模拟研究,优化了注入参数,实施后达到了增油降水和提高采收率的目的,与数值模拟预测指标基本符合。     

基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制

采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

深亚微米NMOSFETs总剂量辐射与热载流子效应研究

本文对深亚微米器件的总剂量辐射与热载流子效应进行了对比试验研究。结果表明虽然总剂量与热载流子效应在损伤原理上存在相似的地方,但两种损伤的表现形式存在明显差异。总剂量辐射损伤主要增加了器件的关态泄漏电流,而热载流子损伤最显著的特点是跨导与输出特性曲线降低。分析认为,STI隔离区辐射感生氧化物正电荷形成的电流泄漏通道是造成总剂量辐射后电流增长的根源,而栅氧化层的氧化物负电荷与栅界面态的形成是造成热载流子退化的原因。因此,对二者进行加固时应侧重于不同的方面。     

SOI亚微米波导光栅的设计与制作

报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果。提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本。实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作。光栅周期为350nm,占空比16∶19。采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11dB。     

亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法,分析了其校正机理,采用这种新方法,在可加工0.7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了0.5μm的光刻图形,取得了较好的实验结果,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。