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亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力. 相似文献
112.
本文对深亚微米器件的总剂量辐射与热载流子效应进行了对比试验研究。结果表明虽然总剂量与热载流子效应在损伤原理上存在相似的地方,但两种损伤的表现形式存在明显差异。总剂量辐射损伤主要增加了器件的关态泄漏电流,而热载流子损伤最显著的特点是跨导与输出特性曲线降低。分析认为,STI隔离区辐射感生氧化物正电荷形成的电流泄漏通道是造成总剂量辐射后电流增长的根源,而栅氧化层的氧化物负电荷与栅界面态的形成是造成热载流子退化的原因。因此,对二者进行加固时应侧重于不同的方面。 相似文献
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为评价Al-H2O反应中铝粉的燃烧效率,从电化学角度对粒径为50 nm,2 μm,13 μm和29 μm的铝粉进行水反应研究。通过测定不同温度下铝水反应极化曲线,初步建立起使用电化学参数(腐蚀电位,腐蚀电流密度,腐蚀电位温度系数)表征铝水反应的评价体系。拟合分析了实验数据,探讨了粒径和温度对铝水反应的影响。用法拉第定律和吉布斯-亥姆霍兹方程对反应进行了电化学热力学研究。结果表明,随着铝粉粒径的减小,反应的腐蚀电位减小,反应越容易进行。当粒径小于2 μm时,粒径的减小对腐蚀电位的影响更加明显。25 ℃下50 nm的Al粉在铝水体系中燃烧效率即可达90.6%,远高于2 μm Al粉的66.7%。 相似文献
118.
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自从 1987年E .Yablonuitch和John提出光子带隙 (PBG)的概念以来 ,有关光子晶体的研究令众多理论物理学家和实验物理学家产生了广泛兴趣。迄今为止 ,人们利用微加工技术制备了一维、二维、甚至三维的微波波段的光子晶体。然而 ,随着研究的深入 ,尺寸要求越来越小 ,这种自上而下的制备方法遇到的困难也越大 ,尤其是在制备可见光波段的三维光子晶体时 ,微加工技术制备已经难以完成 ,人们开始把目光投向由下而上的胶体化学方法。通常 ,自然界最常见的和人工合成的光子晶体是由SiO2亚微米小球自组织而成的 ,即蛋白石[1] … 相似文献