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电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。 相似文献
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郝建民 《理化检验(物理分册)》1995,31(4):43-44
分析了在Bragg-Brentano聚焦几何下测试摆动曲线时,引起摆动曲线失真的两个因素,提出了用该系统测试摆动曲线应具备的两个必要条件:其一,发散狭缝DS一定要远小于样品真正摆动曲线半高宽FWHM;其二,最好用Kβ辐射以防Kα2的干扰。 相似文献
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《中国室内装饰装修天地》2007,(10):28-33
为了能够在佛罗里达的大西洋沙滩的沙丘中“雕琢”出两问公寓,在计算机的帮助下,威廉摩根建筑师事务所(WilliamMorganArchitects)首次将用于支撑作用的钢铁混凝土装置置入其中。而这种用计算机辅助设计的方法在AutoCAD出现之前拥有大型机的时候就有点过时了。 相似文献
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