氢化物发生-原子荧光光谱法同时测定焙烧氧化钼中铋和锑

介绍用氢化物发生－原子荧光光谱法测定氧化钼中铋和锑时,可不分离基体钼。本法简便快速,结果令人满意。检测限Ｂｉ０．４８ｎｇ／ｍｌ,Ｓｂ０．４６ｎｇ／ｍｌ;相对标准偏差ＲＳＤＢｉ２．９％,Ｓｂ４．９％;在０～０．０８０μｇ／ｍｌ范围内的Ｂｉ,Ｓｂ良好的线性关系     

金属氢化物热泵及其研究进展

本文综述了氢化物热泵的工作原理以及氢化物发生吸氢和脱氢反应的机理,并对氢化物热泵在供水系统、太阳能利用系统、冷冻水供应系统、复叠循环系统上的应用进行了介绍,同时对采用压缩机驱动的氢化物热泵系统进行了介绍,并对氢化物热泵研究和应用中的课题进行了展望。     

制冷空调用金属氢化物热泵的发展概况

当前,世界各国的冰箱、空调系统都使用氟利昂(卤素氯氟化物,简称CFCS)做制冷介质。根据最新科学证明,使用氟利昂将破坏地球大气臭氧层,造成更多的紫外线进入地球。出现温室效应,使气温升高,海     

氢化物原子吸收法测定硅粉中痕量铅

由于硅粉中痕量铅的存在对合成甲基氯硅烷单体的话性起着抑制作用,因此,硅粉中痕量铅要求加以控制。 本文参考文献中介绍的方法,经过试验,选择以硝酸—重铬酸钾—过氧化氢三元氧化介质体系,将Pb(Ⅱ)氧化成Pb(Ⅳ),以硼氢化钾为还原剂,采用自制氢化物发生器进行氢化铅转化,用氮气做载气将生成的氢化铅气体携带到电加热石英管中原     

巯基棉分离-氢化物无色散原子荧光法测定岩矿中硒、碲

利用巯基棉分离环境样品,水中微量硒或碲已有报导。而用巯基棉吸附岩矿中之硒、碲并用无色散原子荧光法同时测定这两元素,则尚未见有文章发表。本文着重研究了     

钛合金固态相变的归纳与讨论(Ⅱ)——共析和有序化转变

研究了少量Al替代Mg(x=0.1)对La2Mg1-xAlxNi7.5Co1.5贮氢合金电化学循环稳定性的影响.经过充放电循环后,La2Mg1-xAlxNi7.5Co1.5(x=0.0,0.1)合金中的LaNi3相和αLa2Ni7相仍然保持PuNi3型结构和Ce2Ni7型结构,没有发生变化,此外,在这2种合金中出现少量新的物相La(OH)3,Mg(OH)2和Ni.LaNi3相和αLa2Ni7相吸氢形成氢化物后也保持PuNi3型结构和Ce2Ni7型结构.La2MgNi7.5Co1.5吸氢后,LaNi3相和αLa2Ni7相晶胞均呈各向异性膨胀,但LaNi3相的各向异性膨胀程度及晶胞体积膨胀率明显大于αLa2Ni7相.相比La2MgNi7.5Co1.5氢化物,Al替代Mg对La2Mg0.9Al0.1Ni7.5Co1.5氢化物中的αLa2Ni7相吸氢体积膨胀的抑制作用很小,但Al替代Mg使该氢化物中LaNi3相的c轴膨胀率和晶胞体积v的膨胀率均明显降低.电化学吸放氢循环后合金的粒径变化及形貌观察表明,La2Mg0.9A10.1Ni7.5Co1.5合金的抗粉化能力优于La2MgNi7.5Co1.5合金,这是Al替代Mg改善La2MgNi7.5Co1.5合金电极电化学循环稳定性的重要原因.     

基于金属氢化物的热能-机械能转换系统的研究进展

金属氢化物是近年来在节能方面应用较为广泛的一种高性能材料.简述了热能-机械能转换系统的工作原理以及其具体的应用方式,如热机、氢压缩机和太阳能水泵等,存在合金储氢量低、易中毒、反应床传热传质性能不佳及整体效率低下等主要问题,并对氢化物热能-机械能转换系统进行了展望.     

高盐食品基质中砷含量的测定

建立了一种基体匹配-动态反应池-电感耦合等离子体质谱法测定高盐食品基质中砷含量的方法,以解决高盐基体对砷测定的质谱干扰和基体干扰。研究电感耦合等离子体质谱法与氢化物发生原子荧光光谱法测定食品中总砷的技术要点,通过分析前处理消解方式、有机基质、氯含量和内标校正元素等对砷含量测定的影响,建立了高盐食品基质中砷含量的测定方法。实验结果表明,微波消解法并不太适用于氢化物发生原子荧光光谱法测定食品中总砷,有机基质和氯分别会对砷的质谱测定信号产生增敏效应和质谱干扰,74Ge比72Ge更适合作为电感耦合等离子体质谱法测定食品中总砷的内标元素。建立的检测方法定量限0.010 mg/kg,高盐基体中砷在0.010、0.025、0.20、0.50 mg/kg添加水平的回收率为91.50%~110.80%,相对标准偏差范围为0.76%~7.22%。本法和参照法对样品分析结果统计值均大于t0.90,10（1.81,双边）,测定结果存在显著性差异,对实际样品测定结果表明动能歧视测定模式并不太适用于高盐食品基质样品中总砷的测定。该方法准确可靠,能用于高盐和高基体食品中砷含量的测定分析。     

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。     

Ti0.17Zr0.08V0.34Cu0.01Cr0.1Ni0.3储氢合金结构与电化学性能研究

采用XRD、FESEM-EDS、ICP及EIS等方法对Ti0.17Zr0.08V0.34Cu0.01Cr0.1Ni0.3储氢合金的微观结构及电化学性能进行了研究.XRD分析结果表明Ti0.17Zr0.08V0.34Cu0.01 Cr0.1Ni0.3固溶体储氢合金由BCC结构的V基固溶体主相和少量的C14 Laves相组成.FESEM-EDS测试结果表明V基固溶体主相为树枝晶结构,C14 Laves相呈网格状围绕着树枝晶.电化学测试结果表明,Ti0.17Zr0.08V0.34 Cu0.01 Cr0.1Ni0.3氢化物电极在303～343K较宽的温度区间内具有良好放电容量,在343K时电化学容量高达316.5mAh/g;在303K时循环100周次后,其容量为278.2mAh/g,容量保持率为87.0%,表明氢化物电极具有较好的循环稳定性,但其高倍率放电性能较差.Ti0.17Zr0.08V0.34Cu0.01Cr0.1Ni0.3氢化物电极的电化学阻抗谱表明,电极电化学反应的电荷转移电阻(RT)随温度的增加而显著降低,交换电流密度(I0)随温度的增加显著增加.ICP分析结果表明,V和Zr元素向KOH电解质中溶解严重,这可能是Ti0.17Zr0.08V0.34Cu0.01Cr0.1Ni0.3氢化物电极容量衰减的主要原因.