烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响

以Si粉和C粉为主要原料 ,在氮气流量为1.2L·min- 1,氮化温度为 1380℃ ,保温时间为 2 0h的条件下 ,研究了分别以 10wt%的MgO、Al、Al2 O3和Al2 O3+Y2 O3粉为烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响。结果表明 :以MgO粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是MgSiO3,另外还有Si2 N2 O ,但没有Si3N4 生成 ;以Al粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是SiO2 ,仅有少量Si3N4 存在 ;以Al2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分是β Si3N4 和α Si3N4 ;以 2wt%Al2 O3+8wt%Y2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分为 β Si3N4 ,同时含有少量α Si3N4 。     

烧结助剂对氮化硅陶瓷显微结构和性能的影响

氮化硅中氮原子和硅原子的自扩散系数很低，致密化所必需的扩散速度和烧结驱动力都很小，在烧结过程中需采用烧结助剂。烧结助剂是影响氮化硅陶瓷的显微结构和性能的关键因素之一。有效的烧结助剂不但可以改善氮化硅陶瓷的显微结构，而且可以提高氮化硅陶瓷的高温性能和抗氧化性能。     

Si3N4陶瓷材料的高温氧化理论及其抗氧化研究现状

从热力学、动力学和整体控速过程探讨了氮化硅陶瓷材料高温氧化理论和氧化性质，阐述了表面改性技术对氮化硅抗氧化性能的影响．并对表面改性提高氮化硅抗氧化性能进行了展望。     

Si3N4结合SiC窑具的研制及应用

本文根据试验确定了工艺路线,介绍了氯化烧成机理、原材料的选择及生产工艺对制品的影响,生产出的制品技术指标先进,性能优良。作为更新换代的新型窑具材料具有显著的经济效益和社会效益,有着广泛的使用价值。     

半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能

用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域.     

无压烧结Al2O3/Si3N4纳米复合陶瓷的力学性能

本文对Al2O3／Si3N4体系进行无压烧结。获得试样相对密度大于98％，采用物相分析，烧结体中并没有Si3N4颗粒存在而是形成SIALON相。Si3N4和Al2O3反应生成的β-SIALON相颗粒不仅分布在Al2O3晶粒晶界处也存在于Al2O3晶粒内部，形成独特的“内晶型”结构。当受到外力时既能诱发穿晶断裂，又能引起裂纹偏转，从而起到增强的作用。由于产生晶界滑移，韧性有所下降。     

磨加工及残余应力对氮化硅陶瓷强度的影响

利用X-射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响。结果表明，磨削工艺所引入的残余应力是拉应力，对陶瓷抗弯强度有显著降低。     

氮化硅陶瓷高温摩擦学性能

本文研究热压氮化硅陶瓷与３Ｃｒ２Ｗ８Ｖ钢组成的销－盘摩擦副，在空气中非润滑条件下，４００～８００℃不同载荷（４９～３４３Ｎ）的摩擦磨损性能；测定了磨擦系数和Ｓｉ３Ｎ４销的磨损因子；通过对Ｓｉ３Ｎ４磨损面的ＳＥＭ形貌观察、Ｘ射线相结构分析，探讨了陶瓷销的磨损机理     

蒸馏水润滑下Si3N4—灰铸铁摩擦面上表面膜组成的分析及其形成机理…

为考查表面膜的形成过程，在环－块磨损试验机上对Ｓｉ３Ｎ４－灰铸铁对偶进行不同摩擦路程的磨损试验，在ＳＥＭ下观察灰铸铁试样的摩擦面。用ＡＥＳ，ＸＰＳ，ＦＴＩＲ和ＸＲＤ分析了表面膜的成分、组成与结构，并对其形成机理进行了初步探讨。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４在水润滑下，摩擦面上发生了氧化和水解反应；而当Ｓｉ３Ｎ４与灰铸铁配对时，由于石墨对Ｓｉ３Ｎ４氧化和水解产物的吸附，致使摩擦面形成具有一定厚度和面积的含石墨     

高档发优质反应结合氮化硅结合碳化硅窑具的制备

本文研究了高档优质Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ窑具的工艺过程，并且论述了制备这处高档优质窑具的工艺参数。