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31.
浮区中热和溶质的毛细对流 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用数值模拟的方法研究了浮区中热毛细对流与溶质浓度毛细对流的耦合,分析了半导体晶体的浮区生长过程中杂质的影响.讨论了表面张力随浓度的增加而减少的典型情况.计算结果表明,在一定参数范围下,浓度Marangoni数对浮区中的流场和浓度场有明显的影响,对温度场的影响相对较小. 相似文献
32.
通过研究电镀过程中浮架、钛篮、液位对电镀均匀性影响,合理布局电镀铜缸体,改善电镀均匀性。同时找出影响均匀性能力主要影响因素,为均匀性提升提供改善依据。并提出可行性建议,给整个电镀能力提升提供思路及方向。 相似文献
33.
随着我国经济的快速发展,城市的发展不断加速,城市内的机动车保有量不断增加,越来越多的城市出现了一定程度的交通拥堵现象。实时路况显示系统可以为机动车驾驶员提供当前的路况信息,为其选择行驶道路提供依据。因此,文章设计了一种基于浮动车的实时路况显示系统并详细介绍了实现过程。实验结果证明,该系统有一定的实际应用价值。 相似文献
34.
Lattice半导体公司,世界上发明和生产第一个在系统可编程E^2CMOS PLD的公司,所采用的电可擦除的互补MOS管E^2CMOS技术,引导了数字电子技术电路系统设计方法的巨大飞跃。本文就这一技术进行了探讨与研究。 相似文献
35.
提出一种可以集成在SPIC(智能功率集成电路)内部的高压电压探测器的方法,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统,把场限环系统作为表面电压分压器.在通常的场限环外侧再增加两个环,对外侧环电压再一次分压,并把最外侧环设计成高压电压探测器.这样当主结电压上升到一个高压时,最外侧的环可以只有几伏到十几伏的变化,这样环(探测器)上的信号既可以表征主结高电压,又可以由低压逻辑电路处理.以一个400V的结构为例,分析并模拟了这个结构.结果证明可以有效探测SPIC的高压并可以集成在SPIC中.同时,该结构可以与CMOS和BCD工艺兼容,且工艺上也不会增加步骤. 相似文献
36.
37.
介绍了两栖战车浮心位置的变化规律,提出了一套基于现有设备的测量方法,并编制了两栖战车浮心位置分析计算软件。 相似文献
39.
阀控电池的使用寿命取决于厂家的生产质量和用户的使用情况,本文根据对阀控电池的使用情况分析,得出电池的浮充电压选择正确与否,对电池的使用寿命影响极大。 相似文献
40.
借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真。该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10–3.cm2的LDMOS。 相似文献