Ka波段宽带四倍频器的研制

介绍了一种Ka波段宽带四倍频器的研制方法。为了实现宽带、低插入损耗的要求，该倍频组件采用二倍频器—放大器—二倍频器的结构，即在两级倍频器之间插入一级宽带驱动放大器，而Ku波段和Ka波段的二倍频器分别采用了结构新颖的平面耦合微带线巴伦倍频器和平面毫米波倍频器。     

应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

部件试验模态综合的简便方法

本文将一种基于完备模态基的模态综合技术应用于子结构的试验模态综合,获得成功。这种半试验半理论的模态综合方法是一种较为简便的、要求试验工作量较小的试验模态综合法,因为它只要求测量子结构的振动模态和频率即可。数值仿真结果表明,这种简便的试验模态综合法是行之有效的。     

电荷耦合图像传感器在细线直径测控系统中的应用

文中给出了一个以氟化氪固体激光器做光源，以电荷耦合图像传感器为光屏，应用夫朗禾费衍射原理，实现对细丝直径在线检测自动控制。该方案对相关企业质量控制的自动化是有意义的。     

复合抗式消声器声振耦合特性试验分析

一、前言 抗式消声器主要利用声抗的突变使声波反射,达到消声的目的。其基本结构形式有扩张式、共振式等。随着对消声器性能要求的不断提高,抗式消声器的结构形式也日趋复杂。通常是针对消声对象的频谱特性,采用多级扩张室和多个共振腔合理有机的结合方法,取得良好的消声效果。     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。     

数字示波器使用中常见问题

1、如何测量直流电压？答：需要设置耦合方式为直流，根据大概的范围调节垂直档位到一个合适的值，然后比较偏移线跟通道标志的位移。     

LTCC双波段定向耦合器设计与分析

文中介绍了双频手机前端用的LTCC定向耦合器的工作原理及其结构形式，并就其设计要求从LTCC微带结构和微波耦合特性两个方面进行系统分析。