采用GPS＋HIP生产工艺制造Si3N4基陶瓷刀片

介绍了采用GPS HIP生产工艺制造Si3N4基陶瓷刀片所涉及的混料、压制、排胶、气氛烧结(GPS)、热等静压(HIP)处理、刀片刃磨等主要生产工序。     

硬质多孔过滤介质鼓泡孔径及孔径分布的测定研究(Ⅱ)

本文(Ⅰ、Ⅱ)分别介绍了金属丝网、金属纤维烧结毡,陶瓷膜等硬质多孔过滤介质孔径及孔径分布的测定,这也是生产者与使用者非常关注的一个与过滤性能有关的指标。     

烧结板除尘器在非煤矿山的应用

非煤矿山除尘,历来都是老大难,华塑公司采用烧结板除尘器在国内外当属第一家。为公司环保事业奠定了基础,为国内非煤矿山树立了样板。烧结板除尘器是国内新型的、高效率、免维护的除尘器,运行可靠,排放标准高,是最好的选择。     

Ce0.8Sm0.1Gd0.1O1.9电解质的制备及其性能研究

采用共沉淀法合成了Sm、Gd共掺杂CeO2的Ce0.8Sm0.1Gd0.1O1.9（SGC）电解质粉末。研究了工艺条件等对粉末的相组成、结构、颗粒大小的影响。并对SGC烧结体的性能进行了研究。实验结果表明,共沉淀法成功制备出的SGC电解质粉末有良好的烧结性,1 400℃下得到的SGC烧结体的相对密度大于93%。电性能测试表明烧结体在中温范围内具有较高的氧离子电导率。     

爆炸烧结过程及其热力学分析

研究分析了在柱面聚合激波的作用下，粉体材料的爆炸烧结过程，计算了理想的柱面收缩率和粉粒的熔化量，从热力学角度分析了粉体材料在烧结过程中的内能增加及其能量转化，并探讨和计算了预热粉体爆炸烧结有利因素。     

纳米添加剂在陶瓷烧结中的作用

用微米级和纳米级两种复合助剂Y2O3-Dy2O3加入氮化铝陶瓷(AlN)中,在1650℃热压烧结AlN陶瓷;研究其对AlN陶瓷的微观结构和性能的影响.结果表明:纳米级添加剂Y2O3-Dy2O3能更好地提高AlN陶瓷的烧结活性,热扩散率也更高.     

赛米控SKiN技术闪亮登场PCIM 2011

在2011年6月21-23日举行的第10届PCIM电力电子、智能运动、电能品质亚洲展览会与研讨会(PCIM Asia)中,赛米控除了展示了针对不同应用的一系列产品外,还隆重地推出了一种突破性的技术——SKiN。新的SKiN技术是一种采用柔性箔片和烧结连接的功率半导体封装技术。新技术的     

四针状氧化锌晶须/聚四氟乙烯复合材料的电气性能研究

采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须(T-ZnO<,w>)/聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响.结果表明:随着晶须填料掺杂含量的增加,复合材料的介电常数增大,但介电强度和绝缘电阻率下降;复合材料的电场强度-电流密度(E-J)曲线对应的场强阈值随着T-ZnO<...     

Spark Plasma Sintering Preperties of Ultrafine Ti （ C, N）-based Cermet

Ultrafine Ti( C, N)-based cermet was sintered by SPS from 1050℃ to 1450℃ and its sintering properties, such as porosity, mechanical properties and phase transformation , were investigated by optical microscopy ( OM ), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction ( XRD ), and differential scanning calorimeter (OSC). It is found that the spark plasma sintering properties of Ti ( C, N )-based cermet differ from those of conventional vacuum sintering. The liquid phase appearance is at least lower by 150℃ than that in vacuum sintering. The porosity decreases sharply belove 1200℃ and reaches minimum at 1200℃ , and afterwards it almost keeps invariable and no longer increases. SPS remarkably accelerates the phase transformation of Ti ( C, N )-based cermet and it has a powerful ability to remorse oxides in Ti( C, N)-based cermets. Above 1350℃, denitrification occurred. Fresh graphite phase formed above 1 430℃ . Both the porosity and graphite are responsible for the poor TRS.