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本文阐述了均压屏蔽罩在高电压真空灭弧室中的应用及其重要性,介绍了各种不同屏蔽罩在高电压真空灭弧室内所起的均压作用,触头开距与屏蔽罩之间的配合以及触头和屏蔽罩形状的分析。 相似文献
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多路供电系统高压输电线考虑弧垂的场强计算模型 总被引:1,自引:0,他引:1
交流输电线路附近的空间场强是随时间变化的,在电磁环境保护和ADSS光缆架设中都需要计算出空间点在一个时间周期内的最大场强值,而对于实际输电线路还要充分考虑弧垂的影响。针对上述情况,采用等效电荷法,在考虑弧垂时分别基于频域和时域建立了多路供电系统高压输电线下的分段三维计算模型,并推导出了相应的最大场强计算公式。比较两种模型发现时域模型占用内存较少且延拓性较强,建议采用时域模型。最后用其公式编程对一条输电线路进行了计算比较,得出所推导的最大场强公式计算结果比以往场强计算结果更准确,弧垂对输电线路的最大场强有很大的影响,输电线路的场强计算应该采用三维模型。 相似文献
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SiC的主要优势是它有着较宽的带隙。4H-SiC的带隙Eg为3.2eV,而GaAs、Si的Eg分别为1.43eV和1.12eV;GaN和金刚石的Eg更宽,分别为3.4eV和5.6eV;较宽Eg材料中本征载流子浓度低,所制器件可在较高温度下工作、漏电流小。原则上,宽带隙材料适合于制作耐高温、高频/紫外光探测、高结电场强度和高频开关等器件。对SiC的研究、开发己历20年,在某些应用领域己商品化。GaN在RF(射频)电子学应用方面很受关注,对GaN的研发也有10来年。某些实验室己做出了若干金刚石器件但离实用尚有较大距离。 相似文献
47.
TFT-LCD工艺与静电击穿 总被引:1,自引:1,他引:1
薄膜晶体管液晶显示(thin film transistor—liquid crystal display,TFT—LCD)的制造工艺是一个复杂的过程,各个环节都可能发生静电击穿(electrostatic discharge,ESD)现象,导致TFT-LCD器件被破坏,极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管(TFT)生产工艺的实际情况,阐述了产线里各类产品型号的ESD发生状况。在此基础上,对各种设计、工艺过程和工艺参数对ESD造成的影响进行了分析研究,为实际的生产提供了指导作用。 相似文献
48.
特高压紧凑型输电线路工频电场强度计算 总被引:3,自引:0,他引:3
将有限元方法应用于特高压紧凑型输电线路电场强度的计算.建立二维静电场有限元模型,计算对比了特高压紧凑型线路导线表面电场强度和相导线平均电场强度最大值,分析了特高压线路导线截面和分裂半径的选取,也计算了线路下方距离地面1 m处最大电场强度和线路走廊宽度.计算结果表明特高压交流输电线路采用紧凑型方式具有一定的优越性. 相似文献
49.
填充石英球对DBD等离子体转化NO的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
放电等离子体辅助选择催化还原两段法脱除NOx是一项很有前景的氮氧化物治理技术.介质阻挡放电(DBD)是一种常见的等离子体产生方法,在DBD等离子体反应器中填入电介质小球可进一步增强放电.本文考察了有无石英填充球的DBD等离子体反应器对NO的转化和能量利用效率的影响,借助ANSOFT软件对DBD等离子体反应器内的电场进行了仿真分析.实验结果表明,在较低的放电电压下,填充石英球的DBD等离子体反应器虽然能耗略有提高,但在NO的转化和能量利用效率上都优于无填充情况,其原因归结为,填充石英球有利于反应器在更低电压下实现局部放电,同时促进反应器内的电场和气流在空间更均匀地分布,增加了反应气流与放电等离子体的接触机会. 相似文献
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相对于传统的采用电缆传输测量信号的方式,采用光电传输系统传输测量信号具有良好的绝缘性能和抗电磁干扰特性,因而其在电力系统测量领域具有广阔的应用前景.光电传输系统一般由发射电路、光纤和接收电路三部分组成,根据信号调制和解调方式的不同,在电力系统测量中可将光电传输系统分为调幅方式、压频(V/F)转换方式和模数(A/D)转换方式三种.本文在介绍光电传输系统组成及结构的基础上综述了这三种方式的光电传输系统在电力系统电压、电流、电场强度、泄漏电流以及雷电流等测量中的应用,并分析了光电传输系统应用于电力系统测量中需进一步解决的一些问题.相信随着技术的进步以及电力自动化的发展,光电传输系统在电力系统测量中必将得到越来越广泛的应用. 相似文献