新型全集成TrueTouch触摸屏控制器

随着主要的消费电子品牌采用D类放大器来设计外观纤薄、输出功率更大、高保真级音质的电视机和家庭音响,音频IC技术的领导厂商意法半导体（ST）推出一款新的50W＋50W立体声D类放大器IC,新产品具有极高的能效,需要较少的外部元器件,为设计人员带来竞争优势。     

自制大功率激光手电

拥有一把拉风的激光枪,相信是很多小P孩童年的梦想,这也是当年激光笔大流行的原因。不过妇玩具一般的激光笔不超过5mW的功率,显然无法满足大多数人内心隐藏的破坏欲,但大功率（输出功率在150mW以上）的激光发射器十分昂贵且难以买到,那么我们多年的梦想就注定要破灭了么？非也,只要按照MCG提供方法,再花费少量的时问和金钱,就能自己制造一把大功率激光手电,虽然这玩意还做不到杀人于瞬间,但用来点点蜡烛、欺负一下小动物还是没问题的。     

Ingeteam获得法国156MW功率调节器订单

正西班牙功率调节器(PCS)厂商Ingeteam公司日前宣布,2013年下半年从法国的12座太阳能发电站接到了输出功率合计约为86MW的PCS订单,订货方均为法国南部的太阳能发电站。Ingeteam于2010年在法国设立了基地,之后大约向30个建设项目供应了输出功率共计1MW以上的PCS,且目前正在参加输出功率共计240MW以上的实证试验。据称法国能源管理委员会资助的太阳能发电站建设项目中,有25%采用了Ingeteam的PCS。这些项目中,     

光器件公司Modulight发布系列1550nm激光器

芬兰光器件公司Modulight近日推出最新的RangeLase系列激光器产品。该产品波长输出1530～1570nm,输出功率在100mW到20W之间,具有各种封装形式,包括激光条,尾纤或者TO—Can等其它封装。     

量子点超辐射发光管研究进展(续)

3 SLD应用及其性能要求 SLD具有高亮度、宽光谱、弱时间相干性、低噪声、高光纤耦合效率等优点,被广泛应用于光纤陀螺仪(FOG)[40-42]、光学相干断层成像术(OCT)[43-44]、光纤通信[45-46]、光时域反射计[47]、波长可调谐激光器[48]等领域,展示了广阔的军用、民用应用前景和重要的实用价值.     

光纤光栅外腔半导体激光器输出谱的射线法研究

本文采用射线法,计及增益随波长的变化,首次导出了光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)输出谱的表达式.利用该表达式,结合载流子速率方程,对FGESL输出谱的精细结构进行研究.研究结果表明:光纤光栅外腔将引起位于反射带宽附近波长处能量分布发生变化,在反射带宽内出现多峰结构,峰的数目与外腔长度有关;随着电流的增大,FGESL的输出功率和边模抑制比总体呈现上升的趋势,上升过程中存在波动,波动的幅度和频率随着前端面反射的减小而减小.     

音质令人惊喜的迷你Hi-Fi JRing(君聆) JMA系列迷你音响

JRing是一个很有特色的Hi-Fi音响品牌。它之所以有特色,是因为它所生产的音响外形都非常迷你,但产品的定位又不像一般的时尚迷你音响,而是向发烧音响的方向看齐。本文要介绍的JMA则是JRing第-款主打的放大器。JMA迷你音响由PA10前级搭配A70后级组合而成。虽然这两款产品的体积不大,但设计上都符合发烧音响的设计原则。     

1550nm光发系统在多村联网中的应用

乡村有线电视的特点是各村之间相距较远,分布广而散,致使网络干线长,网络故障相对容易发生,维护技术人员有限,维修工作难度相对较大。笔者在长期的实践中发现,如在HFC网1550nm光发系统的末端使用野外式光分路器,在其周围2km左右设置若干光节点,再将光节点接入电缆分配网,尽量扩大光网络的覆盖范围,就可以完美地解决乡村有线电视网络中的问题。     

A millimeter wave linear superposition oscillator in 0.18 μm CMOS technology

This paper presents a millimeter wave （mm-wave） oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition （LS） technique breaks through the limit of cut-off frequency （JET）, and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density.     

GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究

为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。