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《食品安全质量检测学报》编辑部 《食品安全质量检测学报》2021,(1)
《食品女全质量检测学报》(半月刊)创刊于2010年,是全国首本专注于食品安全与质量领域研究与开发的学术期刊,连续入选中国科技核心期刊库、中国知网学术期刊网络出版总库、万方数据库等,以及国际上英国CABI、英国FSTA、俄罗斯AJ等知名专业文献索引系统。在2020版《中国学术期刊影响因子年报(自然科学与工程技术-2020版)》中的复合影响因子为1.347,质量水平和学术影响力增幅显著,获得专家学者一致好评。目前为中国科技核心期刊。 相似文献
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应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
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碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(UId),发射电流密度、总电流与发射面积成正比:对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0,ks=1,d≥r的情况,ks接近于常数。对于10〈d/r〈100的情况,存在一个经验的表达式:ks=1+0.15d/s=0.005(d/r)^2。在引入ks后,不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述:I=a(E-Eo)^b,a,b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。 相似文献
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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
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通过对减振器结构设计的理论分析,建立了减振器的数学模型,同时通过设计的模拟装置对减振效果进行了实测,效果良好。 相似文献