美研制出高反射率纳米镜子

美国加州大学伯克利光电、纳米结构与半导体工艺中心研制出高反射率的纳米镜子。这种镜子的厚度只有0．23μm，反射率超过了99．9％，更为重要的是，这种镜子的制作工艺简单、成本低。[第一段]     

深圳IC设计业需要借助群聚效应

商业化运营模式促进产业创新，一度成为深圳地区IC设计业的活力源泉。不过，在经历繁荣创业之后，本土企业的进一步发展需要整个成熟产业环境的支持，小而散的灵活性并不能支撑一个区域产业的长久竞争，长三角半导体产业的发展已经证明群聚效应带来的综合竞争力是1加1远大于2。     

新型半导体器件—联栅晶体管（GAT）

联栅晶体管（ＧＡＴ）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了ＧＡＴ的结构、特点及其应用。     

半导体致冷（热）微型空调风扇工作状态参数的计算机仿真

本文对半导体致冷（热）风扇的工作状态进行了分析，推导了工作状态参数方程组，建立了计算机仿真计算模型。采用迭代算法求解工作状态参数方程组，并将计算结果与实验测定值进行了比较，结果是令人满意的。     

p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性

用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。     

电子变压器用的智能功率晶体管

VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价格也适中。这个IC由一个高压双极型MOS发射极开关功率级、驱动电路系统和保护部件(包括过温和过流关断电路)组成。该IC的主要优点是:过温和过流保护,集成DIAC(二极管交流开关)功能,及寄生参数的变化控制。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

低电压时钟管理器MC100EP809

安森美半导体公司推出的ＭＣ１００ＥＰ８０９是一款带ＬＶＴＴＬ时钟选择和使能接口的３．３Ｖ差分１∶９ＨＳＴ／ＰＥＣＬ至ＨＳＴＬ时钟驱动器 ,它采用３２引脚轻薄型四角扁平封装（ＬＱＦＰ） ,可用于计算机工作站、服务器、网络设备和电信系统的底板驱动时钟信号管理系统。ＭＣ１００ＥＰ８０９是专为高性能和低电压的时钟管理而设计的 ,它具有超低抖动率和更高的信号集成度 ,而且占用面积小 ,尤其适合基于ＨＳＴＬ的信号电路。ＭＣ１００ＥＰ８０９与３．０～３．６Ｖ的低电压系统电源兼容 ,其电耗低于９０ｍＡ ,输入接口可由低电压晶…