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建立了铝液中氢的界面反应过程的数学物理模型,对界面反应过程进行了动力学推导和计算。利用铝液直接测氢装置对氢的界面反应动力学过程进行了测试。计算结果与测试结果基本吻合。 相似文献
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利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。 相似文献
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软件是否拥有友好的界面,是现代程序设计评估的重要指标。随着面向对象和可视化编程技术的发展,Delphi,C Builder,Visual Basic等For Win编程语言的推出,界面设计的难度与工作量骤减。但大众化的语言工具仅能提供最基本的元件、属性与方法,并不能包罗万象,穷用户之所需。以下以Delphi3.0为开发工具,探讨界面设计中几个常见问题及其解决方法。 相似文献
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液相对流对固液界面稳定性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以模型合金丁二腈-乙醇的强制性晶体生长为基础,利用自行研制的液相对流驱动装置,详细考查了液相自然对流及强迫对流作用下,模型合金平界面失稳的动态生长过程,证实了液相的流动加快了液相温度与浓度分布的均匀化,从而增强了液/固界面的稳定性。并且随流动速度的增加,界面稳定性提高。 相似文献
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研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合结构的生产中;这种掩蔽结构,对垂直封闭以及在硅选择氧化期间通过掩模夹层边缘封闭氧化剂十分有效。为了在芯片制造过程中形成完全平坦的图形,生长了全开槽和半开槽的场氧化物。本文报道了一种适用于ULSI的无鸟喙LOCOS工艺。 相似文献