SiCf/SiC陶瓷复合材料的研究进展

SiCf/SiC陶瓷复合材料具有良好的力学性能、高温抗氧化性和化学稳定性，是航空航天和原子能等领域理想的新一代高温结构材料。本文概述了增强体SiCt的发展状况及存在的问题，对SiCt/SiC材料的制备工艺、界面相的研究状态、材料的损伤破坏机理和目前的应用研究进展做了综述，并分析了SiCf/SiC陶瓷复合材料的研究重点和发展前景。     

道康宁拓展热界面材料的供应——三种新产品为电子行业器件提供更多的控热选择

道康宁公司宣布拓展了其为电子业提供的热管理解决方案，即推出了三种新型热界面材料(thermal interface materials，简称TIMs)。其中的两种新型材料一道康宁TP-1600薄膜系列和道康宁TP2400衬垫系列是道康宁在去年战略性收购了Tyco Electronics’ Raychem Power Materials Business U—     

《现代电信科技》2005年选题计划

移动电话还能提供更多种类的服务。例如，移动电话可以用于购买或下载电子票券、门禁授权或作为电子钱包使用。这些应用是基于一个非接触芯片。作为智能卡供应商，捷德公司已经开发出双界面(U)SIM卡技术解决方案。日前，该公司在巴黎的CarteS展览会上向世界展示了这种名为STAR-SIM Proximity的创新产品。潜在应用的现场演示让参观者看到了这种技术所带来的益处。     

江雷——科学前沿的探险者

纳米科技自80年代末发展起来，迅速成为全世界关注的热点前沿科技领域。纳米科技将大大拓展和深化人们对客观世界的认识，使人们能够在原子、分子水平上制造材料和器件，导致信息、材料、能源、环境、医疗与卫生、生物与农业等领域的技术革命，将是21世纪新的经济生长点。而江雷正是这个前沿科技领域的一个勇敢、年青的探险者。江雷，1965年生。1987年毕业于吉林大学物理系固体物理专业，1990年在该校化学系物理化学专业获硕士学位。1992年-1994年作为中日联合培养的博士生在东京大学留学,回国获博士学位。1994年-1996年在东京大学做博士后…     

高阻尼金属基复合材料的发展途径

在综述传统高阻尼金属材料和金属基复合材料的阻尼特性的基础上，探讨获得高阻尼性能的金属基复合材料的途径，指出采用高阻尼的基体合金，采用高阻尼的增强物以及设计高阻尼的界面层是效的三种方法，为发展密度更小同时又集结构与阻尼功能于一体的新型材料提供了可能。     

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。