真空退火对LiF和CaF2薄膜结晶性能的影响

研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2 薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明 ,在4 2 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,LiF薄膜的结晶状况明显改善 ;在 4 6 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,CaF2 薄膜的结晶状况越来越好     

两步退火对SIMOX结构形成的影响

本文通过卢瑟夫沟道背散射(RBS/Channeling)及透射电子显微镜(TEM)研究了SIMOX结构的低、高温两步退火形成。实验结果表明:通过两步退火可以获得顶部硅层中无氧沉淀缺陷的、硅与二氧化硅界面较为突变的SIMOX结构。本文也讨论了在两步退火期间,SIMOX结构形成的物理过程。     

Rapid capless annealing of28Si,64Zn,and9Be implants in GaAs

We report the use of tungsten-halogen lamps for rapid (−10 s) thermal annealing of ion-implanted (100) GaAs under AsH₃/Ar and N₂ atmospheres. Annealing under flowing AsH₃/Ar was carried out without wafer encapsulation. Rapid capless annealing activated implants in GaAs with good mobility and surface morphology. Typical mobilities were 3700–4500 cm²/V-s for n-layers with about 2×10¹⁷cm⁻³ carrier concentration and 50–150 cm²/v-s for 0.1–5xl0¹⁹ cm⁻³ doped p-layers. Rapid thermal annealing was performed in a vertical quartz tube where different gases (N₂, AsH₃/H₂, AsH₃/Ar) can be introduced. Samples were encapsulated with SiO when N₂ was used. Tungsten-halogen lamps of 600 or 1000 W were utilized for annealing GaAs wafers ranging from 1 to 10 cm² in area and 0.025 to 0.040 cm in thickness. The transient temperature at the wafer position was monitored using a fine thermocouple. We carried out experiments for energies of 30 to 200 keV, doses of 2×10¹² to 1×10¹⁵ cm⁻², and peak temperatures ranging from 600 to 1000‡C. Most results quoted are in the 700 to 870‡C temperature range. Data on implant conditions, optimum anneal conditions, electrical characteristics, carrier concentration profiles, and atomic profiles of the implanted layers are described. Presented at the 25th Electronic Materials Conference, Burlington, VT, June 22, 1983.     

基于曲率图小波分解的平面曲线光顺方法*

将模拟退火遗传算法用于聚类分析，通过对聚类中心进行编码，定义适应度函数，选择、交叉、变异操作以及模拟退火算法的运用，给出了一种新的基于模拟退火遗传算法的聚类算法，实验结果显示该方法优于基本的遗传算法。     

一种图K划分的随机算法

本文提出一个求解图Ｋ划分难题的模拟进化退火模型。该模型将模拟退火和模拟进化方法相结合，实现了多目标并行寻优策略。理论分析和实验结果表明，模拟进化退火模型的性能更优，解的优化程度更高。     

GR-200A LiF(Mg,Cu,P)圆片不退火应用研究

通过改变升温速度,最大读出温度及恒温时间等参数研究了性能改善的ＧＲ－２００Ａ重复使用中的灵敏度,残余信号和发光曲线的变化情况,探讨了不退火重复使用的可能性,结果表明采用最大读出温度２４０℃,恒温时间２０ｓ,升温速率为６℃／ｓ时能达到残余信号减少到小于０．５％,且重复使用中灵敏度稳定,发光曲线不发生变化,删除了辐照前退火炉退火的需要。     

改进的混合遗传模拟退火算法及其在组合优化中的应用研究

本文分析了遗传算法和模拟退火算法的优缺点,提出了一种混合遗传模拟退火MGASA算法,对其进行了优化操作,并将该算法应用于组合优化中TSP问题的解决.经实验验证,MGASA算法优于普通的GA和SA算法.     

微合金化超深冲-无间隙原子(IF)钢生产技术的进展

无间隙原子 (IF)钢的C、N含量均在 30× 10 - 6 以下 ,并用微量Ti(过剩Ti 0 .0 2 %～ 0 0 4 % )或Ti Nb(过剩Nb <0 0 2 % )合金化以固定钢中残留C和N ,使钢成为无间隙原子状态 ,从而具有优异的深冲性能和非时效性 ,广泛应用于汽车工业。叙述了IF钢的冶炼和成分控制 ,热轧 ,一次和二次冷轧技术 ,退火工艺 ;介绍IF钢生产的基础理论研究进展和讨论了IF钢的二次加工脆性、性能的稳定性     

火电机组启停机经济调度新算法

合理的开停机方案能带来经济效益，提出一种混合模拟退火－遗传算法模型进行火电机组的优化启停计划调度，采用十进制编码，无需解码，可减少计算误差的时间，由于引入了模拟退火算法，使得这种算法能接受新特性，不仅改进了忆部收敛性且能加速寻优过程，最终可得到近于全局最优的解，经算例验算表明，该算法可以满足安全可靠的多种约束条件下，较好地改善机组启停计划的经济性，是安排火电机组启停机计划的一种可行方法。     

透明陶瓷MgAl2O4辐照退火效应的正电子湮没谱研究

首次采用正电子湮没寿命谱的方法，并同时应用PATFIT程序和MELT程序进行解谱，研究了透明陶瓷MgAl2O4被电子、质子和γ射线辐照后缺陷的退火特性，发现了透明陶瓷MgAl2O4在三种射线辐照后的退火过程中缺陷存在着相同的分解和聚积过程，并确缺陷的分解温度250℃和消除温度500℃。