一种基于FPGA的数字图像自动增益控制实现方法

针对图像对比度弱的情况,提出了一种基于FPGA的数字图像自动增益控制实现方法,较为详细地阐述了自动增益控制的基本工作原理,给出了相应的流程图和实际应用效果图。     

一种带权动态调整的总体布线算法及其实现

本文对现有的总体布线方法及宏单元阵列总体布线问题进行了详细分析,提出了一种基于带权动态调整思想的适合于宏单元阵列一层半和双层版图模式的总体布线算法,其目标是合理地利用已确定的布线区域,使各线网均匀地分布在芯片上,获得尽可能高的布通率。     

基于FPGA的频率测试系统

传统ATE比较昂贵,功率大耗电多,造成IC的测试成本偏高,针对ATE的不足之处,设计制作FPGA模块的频率测试系统,包括FPGA测试系统的组成模块,测试原理和测试方法,以及与Handler的通信设计。该测试系统占用空间小,耗电少,测试成本低,达到了节能降耗,降低测试成本的目的。     

高性能IGBT激光退火设备及其量产应用

激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构,获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度,且不损伤Taiko硅片的正面器件,从而在FS-IGBT器件的制造过程中得到业界的广泛关注和应用。针对FS-IGBT激光退火工艺的特点,通过对退火深度、激光波长、光斑尺寸,以及Taiko薄片传输等技术的深入分析和数值仿真,完成了SLA500激光退火设备的研制,并通过现场测试数据验证。测试结果表明,SLA500激光退火设备的各项关键技术指标,如退火深度、激活效率、RS均匀性和重复性等,均能满足FS-IGBT激光退火工艺的量产应用。     

IGCT门极驱动特性研究

IGCT（集成门极换流晶闸管）是一种同时结合GTO和IGBT优点的新型大功率半导体开关器件。本文首先结合4500V／4000A IGBT驱动电路设计，分忻IGCT基本工作原理和驱动电路工作原理。最后通过低压大电流实验，验证丁IGCT开通、关断原理。证明了IGCT在相同环境温度的导通状态下，门极驱动电流对导通睚降没有影响。     

基于CORDIC算法的高速直接数字频率合成技术的ASIC实现

文章主要分析了如何利用基于矢量旋转的CORDIC(Coordination Rotation Digital Computer)算法实现高速高精度的直接数字频率合成技术(DDS)。首先推导了CORDIC算法产生正余弦信号的实现过程，然后给出了在FPGA中设计数控振荡器(NCO)的顶层电路结构，并根据算法特点在设计中引入流水线结构设计。     

一种基于FPGA的直接数字射频上变频方案

传统模拟器件实现射频(RF)上变频方法存在硬件复杂度高,灵活性差,功耗大等缺点。随着半导体器件的发展,软件无线电要求将上变频中射频或中频的信号处理尽量往基带数字信号处理靠拢。本文利用多相滤波器原理,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的直接数字RF上变频架构和实施方案,并且通过软硬件仿真验证了该方案的可行性。     

设计低资源需求的短帧Turbo码交织器

本文叙述在Ｔｕｒｂｏ码交织器中低资源需求的问题,讨论了低资源需求交织器的设计原则,分析了采用所设计交织器的距离谱和误码率特性,报告了在ＦＰＧＡ上综合布线的结果,结果表明该交织器性能较好,易于在专用集成电路上实现。     

Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices

The admittance spectra and current–voltage (I–V) characteristics are reported of metal–insulator–metal (MIM) and metal–insulator–semiconductor (MIS) capacitors employing cross-linked poly(amide–imide) (c-PAI) as the insulator and poly(3-hexylthiophene) (P3HT) as the active semiconductor. The capacitance of the MIM devices are constant in the frequency range from 10 Hz to 100 kHz, with tan δ values as low as 7 × 10⁻³ over most of the range. Except at the lowest voltages, the I–V characteristics are well-described by the Schottky equation for thermal emission of electrons from the electrodes into the insulator. The admittance spectra of the MIS devices displayed a classic Maxwell–Wagner frequency response from which the transverse bulk hole mobility was estimated to be ∼2 × 10⁻⁵ cm² V⁻¹s⁻¹ or ∼5 × 10⁻⁸ cm² V⁻¹s⁻¹ depending on whether or not the surface of the insulator had been treated with hexamethyldisilazane (HMDS) prior to deposition of the P3HT. From the maximum loss observed in admittance-voltage plots, the interface trap density was estimated to be ∼5 × 10¹⁰ cm⁻² eV⁻¹ or ∼9 × 10¹⁰ cm⁻² eV⁻¹ again depending whether or not the insulator was treated with HMDS. We conclude, therefore, that HMDS plays a useful role in promoting order in the P3HT film as well as reducing the density of interface trap states. Although interposing the P3HT layer between the insulator and the gold electrode degrades the insulating properties of the c-PAI, nevertheless, they remain sufficiently good for use in organic electronic devices.     

柘林水库泄水放空洞台车式启闭机行走装置改造设计

分析柘林水库泄水放空洞台车式启闭机手动行走装置运行中存在的问题,提出改造设计思路,并进行主要参数计算和设备选型.