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本文提出了一种利用现场可编程门阵列(FPGA)、仪表运算放大器AD623和高精度AD转换器实现多通道数据数据采集系统的原理.通过对FPGA进行编程配置,可以对不同通道输入的伏值不同的电压信号分别设置增益,使每一个通道输出的信号正好在AD采集所需要的信号范围内,满足了采集要求.实验结果表明该设计结构简单、体积小、适用性强、性能优良、可控性好、能够满足大部分试验和科研过程的需求,具有很广泛的适用性. 相似文献
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Wang Pengjun Yu Junjun 《电子科学学刊(英文版)》2007,24(2):225-231
First the research is conducted on the design of the two-phase sinusoidal power clock generator in this paper. Then the design of the new adiabatic logic circuit adopting the two-phase sinusoidal power clocks--Clocked Transmission Gate Adiabatic Logic (CTGAL) circuit is presented. This circuit makes use of the clocked transmission gates to sample the input signals, then the output loads are charged and discharged in a fully adiabatic manner by using bootstrapped N-Channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) and Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) latch structure. Finally, with the parameters of Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) 0.25um CMOS device, the transient energy consumption of CTGAL, Bootstrap Charge-Recovery Logic (BCRL) and Pass-transistor Adiabatic Logic (PAL) including their clock generators is simulated. The simulation result indicates that CTGAL circuit has the characteristic of remarkably low energy consumption. 相似文献
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T. Rudenko V. Kilchytska N. Collaert M. Jurczak A. Nazarov D. Flandre 《Solid-state electronics》2007,51(11-12):1466
In this work, the gate-to-channel leakage current in FinFET structures is experimentally studied in comparison with quasi-planar very wide-fin structures, and as a function of the fin width. Devices with both doped and undoped channels and different gate stacks are studied. Experimental evidence for the reduction of gate tunneling current density in narrow FinFET structures compared to their counterpart quasi-planar structures is reported for the first time. This gate current reduction is observed for both n-channel and p-channel devices and is found to be stronger for HfO2 than for SiON. For a given gate dielectric, the above gate current improvement in FinFETs enhances with decreasing the fin width. For SiON with an equivalent oxide thickness of 1.6 nm in undoped n-channel devices, it varies from factor of 2.3–4.3, when the fin width decreases from 75 to 25 nm. The possible reasons for the observed effect are discussed. 相似文献
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针对电路草图识别主要在计算机上完成以及只能识别电路元件的问题,设计一个在ARM处理器和Linux系统上实现的逻辑门电路草图整图识别系统。采取在线识别的方式对触摸屏上输入的手绘笔画进行分段识别、组合、分类得到门电路的图元,按图元顺序建立图元列表,分割出逻辑门图元组合,重构门电路整图。实验证明该系统对逻辑门电路草图有很高的识别率。 相似文献
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Heinrich Wolf Horst Gieser Wolfgang Stadler Wolfgang Wilkening 《Microelectronics Reliability》2005,45(2):279-285
This paper describes a new test method called capacitively coupled transmission line pulsing cc-TLP. It is applied to different test circuits which were mounted on specially designed package emulators with a defined background capacitance. The test results are compared with the ESD thresholds obtained by CDM tests. The cc-TLP results correlate well with the CDM data. 相似文献
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