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81.
缓冲区是计算机领域一个非常重要的研究主题。现在存在很多缓冲区置换策略,广泛地用于操作系统、文件系统、数据库以及存储系统中。提出了一种性能评测方法来评测关系数据库的缓冲区置换策略。这种方法采用直接测试方式,使用五个性能指标,包括新提出的指标以及由于模拟方法的局限性在以前的研究中很少使用的性能指标,同时利用显著性测试并提出一种联合使用多个显著性测试的方法进行置换策略之间的比较,设计和使用多种工作负载在单用户和多用户情况下有效地评测各种策略。使用这种评测方法,在一个真实的关系数据库环境中,对十三种典型的缓冲区置换策略的性能进行了详细、全面的实验研究,从中可以获得一些有用的结论。  相似文献   
82.
采用分光光度法研究了不同pH Hepes缓冲液中Fe(Ⅲ)-过氧化氢-亚硝酸盐催化牛血清白蛋白(BSA)发生蛋白质硝化的情况.实验结果表明:在Hepes缓冲液中,EDTA-Fe(Ⅲ)及柠檬酸铁均能够催化过氧化氢-亚硝酸盐引起BSA的硝化.在EDTA-Fe(Ⅲ)-过氧化氢-亚硝酸盐体系中,BSA的硝化程度随pH的升高而依次增强,亚硝酸盐含量随pH值的升高而降低,说明碱性环境有利于EDTA-Fe(Ⅲ)-过氧化氢-亚硝酸盐催化BSA发生蛋白质硝化;而在柠檬酸铁-过氧化氢-亚硝酸盐体系中,BSA的硝化程度随pH的升高而依次降低,亚硝酸盐含量随pH值的升高而升高,说明酸性环境有利于柠檬酸铁-过氧化氢-亚硝酸盐催化BSA发生蛋白质硝化.进一步研究表明:EDTA-Fe(Ⅲ)催化过氧化氢-亚硝酸盐发生蛋白质硝化作用强于柠檬酸铁.  相似文献   
83.
在灰色系统缓冲算子公理体系下,将缓冲算子的构建和函数联系起来,利用基本初等函数(指数函数和余切函数)构造了2大类新的缓冲算子,并研究了其特性,最后通过实例验证了所构造的缓冲算子的实用性.解决了冲击扰动系统数据序列建模预测过程中常常出现的定量预测结果与定性分析结论不符的问题.  相似文献   
84.
以武钢新3#高炉引进的蓄热缓冲器为研究对象,建立其二维传热模型,运用该模型研究蓄热缓冲器用于布袋除尘工艺中异常工况下的缓冲能力. 模型计算结果及实测数据对比分析表明,该蓄热缓冲器满足布袋除尘工艺缓冲要求  相似文献   
85.
针对当前VxWorks系统图形显示驱动已无法满足用户需求的问题,提出了一种基于二维(2D)硬件加速引擎的图形显示驱动技术,实现了UGL的二维硬件加速、硬件光标、硬件双缓冲、Overlay覆盖等功能,提高了VxWorks系统的图形显示性能,满足了实时系统的应用需求.目前该设计已在多型海军装备中得到应用验证.  相似文献   
86.
赖鑫  刘聪  王志英 《计算机工程》2012,38(24):228-234
在线程级猜测中进行数据依赖相关检测时,存在Cache一致性协议无法容忍线程切换引起的Cache块替换等问题。为此,通过分析推测线程数据管理模型,结合推测线程切概率低的特点,提出一种分布-共享式恢复缓冲区结构。该结构在进行Cache一致性检验时结合作废向量和版本优先级寄存器进行数据依赖检测,利用L2 Cache进行推测数据缓冲和恢复以支持推测线程切换。修改SESC模拟器以验证和评估该存储体系结构。实验结果表明,在保持模拟器理想加速比的情况下,该存储体系结构可以较好地支持推测线程切换。  相似文献   
87.
为了增强对程序缓冲区溢出漏洞的检测,提出一种利用CCured和BLAST对C程序进行分析的检测方法。首先利用CCured对C语言源程序进行运行时检测的代码插桩;然后用BLAST提供的自定义安全属性语言对这些插桩代码进行相关约束描述;最后让BLAST根据约束描述文件对代码插桩后的程序进行模型检测,就可以尽可能地找出C语言程序中潜在的缓冲区溢出漏洞。  相似文献   
88.
王其英 《电源世界》2006,(4):18-20,13
本文介绍了工频机与高频机UPS的主电路结构,指出了工频变压器的基本功能是变压和产生零点,并不抗干扰和缓冲。并介绍了电子变压器的优点,指出了高频机最终要代替工频机的必然趋势。  相似文献   
89.
张军  张德运 《计算机工程》2006,32(17):252-253
设计并实现了基于USB接口的低成本网络可视电话系统,描述了其内嵌的QoS控制机制。基于区分服务体系,对IP数据包的ToS字段进行不同的编码设置,以区别服务的优先级;采用双向链表结构的抖动缓冲区进行时延抖动的平滑,链表的节点位数据帧或空闲帧,二者可动态切换,输入线程和输出线程互斥地对其进行读写操作。实验证明,在多数应用场合下,系统的通信时延小于30ms,丢包率低于10%。  相似文献   
90.
S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate   总被引:5,自引:2,他引:5  
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.  相似文献   
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