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针对低频下数字集成电路实现时序收敛需要插入大量缓冲器而导致芯片布线困难、运行时间较长等问题,提出了一种降低时钟树级数与增加保持时间余量相结合的时钟树综合方案。基于CSMC 0.35 μm CMOS工艺,采用提出的方案,使用IC Compiler和Prime Time工具,分别完成了应用于高精度隔离型Σ-Δ ADC芯片的低速数字滤波器的物理设计以及静态时序分析。结果表明,与传统方案相比,保持时间负松弛总值降低了95.62%,时序收敛所需缓冲器个数减少了约98.13%,运行时间缩短了97.25%,有效地降低了布线拥塞程度,快速有效地实现了时序收敛。 相似文献
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利用多个OFDM符号中相同位置的连续多个抽样点相关求均值的方法,提高了估计精度。根据信噪比的高低和多径时延的大小,动态调整参与相关运算的循环前缀长度,提出了以长度D=Ng作为迭代间隔,降低了算法复杂度。在4径衰落信道模型,子载波数为1024,循环前缀Ng为256,子载波调制方式为QPSK,M取值为6,仿真结果表明,该算法在多径衰落信道下都具有良好的定时和频率偏差估计性能。 相似文献
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在传统的信号配时中,都是以减少车辆的总延误为目标,这样并不能很好地体现出整个社会中人的时间价值。现以减少所有通过交叉口的出行者的总延误为目标,在传统的信号配时方案的基础上,提出了一套新的配时方案,同时以减少全部出行者的总延误时间为目标给出了相应的延误评价公式,最后以杭州市文一路-古翠路口的实测交通数据进行分析,论证了本配时方案的有效性。 相似文献
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This paper describes a 14-bit 100-MS/s calibration-free pipelined analog-to-digital converter (ADC). Choices for stage resolution as well as circuit topology are carefully considered to obtain high linearity without any calibration algorithm. An adjusted timing diagram with an additional clock phase is proposed to give residue voltage more settling time and minimize its distortion. The ADC employs an LVDS clock input buffer with low-jitter consideration to ensure good performance at high sampling rate. Implemented in a 0.18-μm CMOS technology, the ADC prototype achieves a spurious free dynamic range (SFDR) of 85.2 dB and signal-to-noise-and-distortion ratio (SNDR) of 63.4 dB with a 19.1-MHz input signal, while consuming 412-mW power at 2.0-V supply and occupying an area of 2.9 × 3.7 mm^2. 相似文献
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The organic electronic devices are often understood invoking the concept of ‘unintentional doping’. However, the applicability and usefulness of this controversial concept is not very clear and is under much recent debate. In this work, we revaluate the validity of this concept through careful experiments and detailed numerical simulations. Specifically, we use the Capacitance Voltage (CV) measurement of pentacene devices as a testbed to unravel the role of injecting electrodes and unintentional doping (if any). Indeed, our results indicate that the CV of pentacene capacitors can be solely understood in terms of properties of the contact electrodes. The unintentional doping, if present, has an inconsequential role in device performance. Our conclusions indicate that, often, an incorrect interpretation of CV results would lead to unphysical values of unintentional doping and have obvious implications towards the fundamental understanding of organic semiconductor device physics, modeling, and characterization; thus resolving many ambiguities in literature by providing a consistent interpretation through a coherent conceptual framework. 相似文献
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