全文获取类型
收费全文 | 154752篇 |
免费 | 14210篇 |
国内免费 | 7417篇 |
专业分类
电工技术 | 8953篇 |
综合类 | 8900篇 |
化学工业 | 35641篇 |
金属工艺 | 12274篇 |
机械仪表 | 7329篇 |
建筑科学 | 7957篇 |
矿业工程 | 3601篇 |
能源动力 | 18255篇 |
轻工业 | 11028篇 |
水利工程 | 1988篇 |
石油天然气 | 6853篇 |
武器工业 | 1474篇 |
无线电 | 13358篇 |
一般工业技术 | 19576篇 |
冶金工业 | 9008篇 |
原子能技术 | 3640篇 |
自动化技术 | 6544篇 |
出版年
2024年 | 1318篇 |
2023年 | 2959篇 |
2022年 | 5286篇 |
2021年 | 6402篇 |
2020年 | 5670篇 |
2019年 | 5028篇 |
2018年 | 4595篇 |
2017年 | 5590篇 |
2016年 | 5681篇 |
2015年 | 5577篇 |
2014年 | 8674篇 |
2013年 | 9651篇 |
2012年 | 10348篇 |
2011年 | 12194篇 |
2010年 | 8756篇 |
2009年 | 8674篇 |
2008年 | 7801篇 |
2007年 | 9206篇 |
2006年 | 8418篇 |
2005年 | 6961篇 |
2004年 | 6076篇 |
2003年 | 5255篇 |
2002年 | 4479篇 |
2001年 | 3861篇 |
2000年 | 3304篇 |
1999年 | 2572篇 |
1998年 | 2129篇 |
1997年 | 1790篇 |
1996年 | 1559篇 |
1995年 | 1201篇 |
1994年 | 1100篇 |
1993年 | 769篇 |
1992年 | 780篇 |
1991年 | 596篇 |
1990年 | 477篇 |
1989年 | 344篇 |
1988年 | 267篇 |
1987年 | 162篇 |
1986年 | 150篇 |
1985年 | 154篇 |
1984年 | 124篇 |
1983年 | 80篇 |
1982年 | 97篇 |
1981年 | 50篇 |
1980年 | 59篇 |
1979年 | 41篇 |
1977年 | 15篇 |
1976年 | 10篇 |
1959年 | 27篇 |
1951年 | 27篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
981.
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
982.
983.
Bhushan Sopori 《Journal of Electronic Materials》2005,34(5):564-570
Thin films of many dielectric materials have been used in the past for fabrication of solar cells and as a part of their device
structure. However, current efforts to reduce solar cell costs in commercial production have led to simplification of cell
design and fabrication. Use of self-aligning techniques has obviated the need for photolithography and conventional masking
with dielectric films for cell fabrication. Currently, the most favored dielectric material in Si solar cell production is
SiN:H, deposited by the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process. The SiN:H layer and its processing play
multiple roles of serving as an antireflection coating, a surface passivating layer, a buffer layer through which metal is
fired, and a means of transporting hydrogen into the bulk of the solar cell. In order to optimize the solar cell performance,
the SiN:H layer must meet some conflicting demands. The various applications of the SiN:H layer in solar cell fabrication
are described here. 相似文献
984.
结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2) ,都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进. 相似文献
985.
SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性 总被引:2,自引:0,他引:2
为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015和3×1015cm-2剂量的氮.实验结果表明,在使用Co-60源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104 rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015cm-2剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C-V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal-silicon-BOX-silicon)结构的异常高频C-V曲线,并对其进行了解释. 相似文献
986.
Transmission of signals, whether on-chip or off-chip, places severe constraints on timing and extracts a large price in energy. New silicon device technologies, such as back-plane CMOS, provide a programmable and adaptable threshold voltage as an additional tool that can be used for low power design. We show that one particularly desirable use of this freedom is energy-efficient high-speed transmission across long interconnects using multi-valued encoding. Our multi-valued CMOS circuits take advantage of the threshold voltage control of the transistors, by using the signal-voltage-to-threshold-voltage span, in order to make area-efficient implementations of 4-PAM (pulse amplitude modulation) transceivers operating at high speed. In a comparison of a variety of published technologies, for signal transmission with interconnects of 10-15 mm length, we show up to 50% improvement in energy for on-chip signal transmission over binary encoding together with higher limits for operating speeds without a penalty in circuit noise margin. 相似文献
987.
本文详细介绍了Vacon变频器在矿井中的应用,该应用方案中Vacon变频器作为特殊的低频电源。Vacon变频器具有可编程功能,编程工具Vacon NC1131-3 Engineerign是一个符合IEC61131-3标准的图形化的编程工具,它可以用来设计Vacon NX特殊的控制逻辑的参数。它包含了基本功能模块和高级功能模块,如各种滤波器,PI控制器和积分器。NC1131-3可以创建参数,故障信息和其他与应用相前的特性。本系统具有较大的实用和推广价值。 相似文献
988.
989.
990.