基于医学图像分割的半自动ROI提取

针对当前ROI提取方法,提出了一种基于图像分割的半自动ROI提取算法,一方面保证提取出的ROI是有意义的对象,另一方面人为指定因素更小,对ROI提取的智能性有较大提高。在图像分割中提出一种基于改进的分水岭算法的医学图像分割方法,引入了浮点活动图像代替梯度图像进行分水岭变换,使分割结果边缘定位更准确,在分水岭变换之后,提出基于面积和对比度控制的合并小区域准则,可得到更好的分割效果。     

STUDY ON GIS BASED PREDICTION SYSTEM FOR RADIO WAVE PROPAGATION IN UBAN REGION

In this letter, an integrated application of the prediction for radio wave propagation with the Geographic Information System (GIS) is presented and a real prediction system based on GIS is implemented.     

单电子器件制备技术的新进展

介绍了近年内,以不同材料类型和结构形式为器件有源区的单电子晶体管在制备技术方面所取得的一些新进展。     

基于模板修正和自适应Kalman预测的刚性目标跟踪

目前在远景刚性目标的跟踪中,由于长序列图像具有亮度动态范围大及背景噪声大的特点,当前模板的尺寸和位置往往不能有效代表目标,从而使目标的预测和相关搜索产生误差累积;另外,Kalman预测常因过程噪声与模型不匹配使其对机动目标跟踪适应性差.对上述问题进行研究提出了一种基于区域增长的模板修正方法,并对Kalman预测中过程噪声自适应的方法进行了仿真.结果表明,这种新的模板修正方法具有良好的尺寸及位置自适应能力和抗背景噪声能力,而且过程噪声的自适应也有效提高了Kalman预测的准确度,对目标跟踪具有指导作用.     

基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.     

一种基于人脸区域的图像质量客观评价算法

提出了一种基于人脸区域的图像质量客观评价模型算法,该算法将整个图像区域划分为感兴趣区域(人脸区域)和不感兴趣区域,对这两个区域内的图像损伤,在计算中分别赋予不的权重,以体现人眼的感知兴趣.实验证明通过该模型算法得到的客观评价结果与人眼的主观感觉具有更好的一致性.     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.     

A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics

In this paper, a novel recessed gate metal–semiconductor field-effect transistor (RG-MESFET) is presented by modifying the depletion region and the electric field. The proposed structure improves the breakdown voltage, drain current and high frequency characteristics by embedding a lateral insulator region between drain and gate while is placed laterally into the metal gate and a silicon well exactly under the insulator region. We called this new structure as modified recess gate MESFET (MRG-MESFET). The radio frequency and direct current (DC) characteristics of the proposed structure is studied using numerical simulations and compared with a conventional MESFET (C-MESFET). The breakdown voltage, drain current DC transconductance and maximum power density of the proposed structure increase by 27%, 16.5%, 15% and 48%, respectively, relative to the C-MESFET. Also, the gate-source capacitance and the minimum noise figure of the proposed structure improve relative to the C-MESFET. The proposed structure can be used for high breakdown voltage, high saturation drain current, high DC transconductance, high power, high frequency, and low noise applications.     

集成电路参数中心值和容差的耦合设计方法

基于对集成电路参数成品率中心值设计和容差分配的研究,该文提出了一种参数成品率中心值设计和容差分配耦合求解最优设计值的算法。该算法不需要设计者对电路或工艺的物理结构非常熟悉,从任意初始设计值和任意大小的容差,算法均可收敛到可接受域中的最优设计值。另外,根据工艺线的容差,算法可确定集成电路的最优参数成品率,也可根据实际要求选择适当容差的工艺线,以降低生产成本、提高效益。最后用实例证明了该算法的可行性和实用性,得到了满意的结果。     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。