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101.
102.
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层. 相似文献
103.
According to the symmetry of transmission matrix for non-uniform magneto-optic fiber Bragg gratings (MFBGs),the simulation model of the non-uniform MFBGs with bidirectional injection of light has been presented for the Optisystem software.The simulation model is verified by comparing with the Matlab numeric results using the piecewise-uniform MFBG model.As an example,the polarization-dependent loss (PDL) of an MFBG-based Sagnac interferometer (MSI) is analyzed in detail.Simulation results indicate that the magnetic field sensitivity of the MSI system can be improved by optimizing the coupling coefficient of the coupler,and the maximum of peak PDL is up to three times that of the single MFBG structure.The simulation model proposed in the paper is useful for the design of MFBG-based optical information devices. 相似文献
104.
基于FPGA的高速高密度PCB设计中的信号完整性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
根据摩尔定律,高速高密度印刷电路板(PCB)的设计变得越来越复杂。针对大型或特大型高速高密度PCB设计中信号完整性的一些关键问题,如:PCB层叠、传输线类型、特征阻抗计算、互连拓扑结构、端接技术、延迟匹配、串扰分析、差分布线等,通过理论分析、仿真验证、工程实践相结合的方式进行讨论,并给出相应的解决方法或设计规则。在此基础上,给出现场可编程门阵列(FPGA)多层PCB板设计原则。具体工程实验证明,在这些规则或机制的驱动下,高速高密度PCB的设计能够获得良好的实际效果。 相似文献
105.
106.
SP帧技术是H.264/AVC新视频标准中定义的新类型帧技术。其主要特点是:即使使用不同的参考帧也能预测恢复出相同的SP帧,因而SP帧可以在流间切换、拼接、随机插入以及差错控制等应用中取代I帧实现相应功能。文章在介绍基于SP帧技术各种具体应用的基础上,通过大量仿真试验对SP帧进行了各种情况下的研究,并从中获得具有指导性的结论。 相似文献
107.
Mitsuhide Maeda Takuji Keno Yuji Suzuki Toshiro Abe 《Electrical Engineering in Japan》1996,116(3):107-115
A static induction (SI) thyristor using a normally-off planar-gate structure in a low power class has been developed to be used as a power switching device in a three-phase inverter circuit. A 600 V-15 A class SI thyristor with very fast switching time (tgt, tgq) and low forward voltage drop (VTM) was designed and created. This design was performed with a reasonable wafer structure (n?/n/p+), an n? base carrier concentration and thickness, and a gate structure (gate diffusion length and gate-gate pitch). Microscopic processing was used to obtain this SI thyristor. The performance trade-off between turn-off time and forward voltage drop is controlled by a lifetime control process using proton irradiation that results in a very fast switching time with tgt of 500 ns and tgq of 500 ns with VTM of 1.5 V (at IT= 18 A). At a current level of IT = 18 A, the current density in the active area becomes 200 A/cm2, which indicates that the performance of the SI thyristor is superior to that of conventional IGBTs and MOSFETs. 相似文献
108.
109.
110.
在进气混氢体积分数为0、1%、3%和6%的条件下进行了汽油混氢发动机在低速、低负荷以及稀燃时的内燃机台架试验.根据试验得到的不同工况下发动机的缸压、进气流量及平均有效压力等数据对基于AVL Boost软件所建立的汽油混氢内燃机仿真模型进行了标定.利用该模型对相同进气压力、不同混氢体积分数和不同过量空气系数的条件下汽油混氢内燃机的稀燃性能进行了仿真.结果表明,混氢对稀燃时发动机低速、低负荷工况的燃烧过程改善效果较为明显,随着混氢体积分数的增加,稀燃时发动机指示热效率和做功能力均有所提高.相同混氢体积分数下,随着过量空气系数的增大,缸压峰值降低,缸压峰值所对应曲轴转角位置推迟.稀燃时,混氢后发动机火焰发展期和传播期明显缩短,缸压峰值升高且缸压峰值所对应的曲轴转角也有所提前. 相似文献