高功率非对称大光腔半导体激光器的研制

研制了高功率非对称大光腔半导体激光器。脉冲阈值电流为4-5A,在工作电流为4倍阈值时,激光器单面输出峰值功率为10-12W,其灾变功率大于20W;得到了对称的远场光强分布;器件工作寿命大于1000小时。     

半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究

试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋－镍－锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统。     

GaAs半导体脉冲激光器的激励源

本文阐述了GaAs半导体脉冲激光器的电气特性及对激励源的要求。给出了较成熟的GaAs半导体脉冲激光器的激励源,并介绍了该激励源的工作原理。     

零禁带半导体的介电常数和电子与有极声子的耦合

本文导出在零温度条件下的零禁带半导体的介电常数的解析公式。考虑到LO声子散射的贡献说明反对称的能量吸收峰。对光学声子和电子载流子之间的耦合也作了研究,产生的新的模是声子和电子激发的很强的混合,并讨论了这些模的一些特征。     

LED芯片激发荧光粉合成白光照明光源显色性的控制

光通量、色温和显色性是光源的三大重要指标。半导体LED从指示、显示应用过渡到照明应用．产品的显色性控制和评价是一个新的课题。本文应用光源显色性原理分析影响产品显色性的因素，并通过相关的试验，探讨如何通过材料选型和工艺措施，控制由蓝光LED激发荧光粉合成白光LED的显色性．使之达到预定指标。     

A novel method for determining machine subgroups and backups with an empirical study for semiconductor manufacturing

Wafer fabrication for semiconductor manufacturing consists of multiple layers, in which the displacements (i.e., overlay errors) between layers should be reduced to enhance the yield. Although it can reduce variance between layers by fixing the exposure machine (i.e. steeper or scanner), it is not practical to expose the wafer on the same machine from layer to layer for the lengthy fabrication process in real setting. Thus, there is a critical need to determine the similarity machine subgroups, in which appreciate backups for unexpected machine down can be also prioritized. This study aims to develop a novel methodology to fill this gap based on the proposed similarity measurement of systematic overlay errors and residuals. The proposed methodology was validated via empirical study in a wafer fab and the results showed practical viability of this approach. Received: May 2005 / Accepted: December 2005     

利用瞬态抑制二极管实现高性能稳压电源

在稳压电源设计中 ,如何实现高严酷等级的高速脉冲群抑制能力是一个长期以来难以克服的实际问题 .本文根据实际设计经验 ,介绍一种简单实用的设计方案 .该方案利用瞬态抑制二极管的快速泄放特性 ,大大地提供了高速脉冲群抑制能力 .实际测试和应用表明 ,该设计方案具有良好的工作性能     

低压齐纳二极管的研制

本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二极管．     

TlGaS_2和TlGaS_2：Er~（3＋）单晶的光谱研究

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶。长成的单晶，其光致发光机理与深层能级及Ｅｒ（３＋）离子有关。由施主─受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处，对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶，则在６３２和７５９ｕｍ处．由Ｅｒ（３＋）引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。