热循环对SiCp/Al复合材料性能影响的研究

SiCp/Al复合材料具有可调的热膨胀系数(CTE)、高热导率、低密度和良好的尺寸稳定性等优异性能,广泛应用于航空航天、军用电子等封装领域,由于SiCp/Al复合材料制成的组件工作环境较为苛刻,温度变化对其影响值得探讨。文章研究了热循环对SiCp/Al复合材料的CTE、热导率和弯曲强度的影响,并对其热膨胀行为作了分析。实验结果表明,热循环能有效降低SiCp/Al中的热残余应力,其热性能比铸态明显改善,弯曲强度有所降低;在低温阶段,经退火处理和退火处理+热循环处理后SiCp/Al的CTE基本重合,在高温阶段,经退火处理+热循环处理后的SiCp/Al具有更低的CTE。     

微量RE和Al对Sn-9Zn焊料组织与性能的影响

采用正交试验研究了微量RE和Al对Sn-9Zn无铅焊料电导率、硬度、润湿性及微观组织的影响,并与传统锡铅焊料进行了对比。Sn-9Zn焊料的电性能及力学性能优于传统锡铅焊料,但润湿性较差。添加微量RE和Al可以显著提高Sn-9Zn合金铺展率、细化组织,且不降低焊料电导率和力学性能,最佳w(RE)和w(Al)分别为0.05%和0.10%,铺展率达到61.98%,与Sn-9Zn相比提高了13.40%,硬度为20.90HB,电导率为8.15×106S/m。     

Al‐Doped Black Phosphorus p–n Homojunction Diode for High Performance Photovoltaic

2D layered materials based p–n junctions are fundamental building block for enabling new functional device applications with high efficiency. However, due to the lack of controllable doping technique, state‐of‐the‐art 2D p–n junctions are predominantly made of van der Waals heterostructures or electrostatic gated junctions. Here, the authors report the demonstration of a spatially controlled aluminum doping technique that enables a p–n homojunction diode to be realized within a single 2D black phosphorus nanosheet for high performance photovoltaic application. The diode achieves a near‐unity ideality factor of 1.001 along with an on/off ratio of ≈5.6 × 10³ at a low bias of 2 V, allowing for low‐power dynamic current rectification without signal decay or overshoot. When operated under a photovoltaic regime, the diode's dark current can be significantly suppressed. The presence of a built‐in electric field additionally gives rise to temporal short‐circuit current and open‐circuit voltage under zero external bias, indicative of its enriched functionalities for self‐powered photovoltaic and high signal‐to‐noise photodetection applications.     

AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触

通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.     

中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜

采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。     

衬底温度对ZnO薄膜特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)的方法制备ZnO薄膜。通过对薄膜的X射线衍射(XRD)测试,分析了不同衬底温度下薄膜的结晶状况;通过对薄膜的光致发光谱线的测试,分析了不同衬底温度下薄膜的光致发光状况,同时进行了薄膜表面结构的测试。结果显示,衬底温度为400℃的样品结晶质量较高,具有C轴的择优取向,同时发光性能达到相对优化。     

基于ZnO纳米线阵列和P3HT的混合光电二极管特性

为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡(I TO) 玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列(ZNWA),然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己 基噻吩(P3HT)层,形成结构为ITO/ZNWA/P3HT/Ag的光电二极管。系统研究了此光电二极管在 暗态和在太阳模拟器的光照下的电流-电压 (I-V)特性。实验结果表明,器件在暗态和光照下都表现出良好 的二极管特性。暗态下,在偏压±2V处的整流 率为3211, 理想因子为1.8、低开启电压为0.5V和反偏饱和电流为1．13×10－7 A。在20mW/cm²光照下,在偏压±2V处的整流率为39.1、开启电压为0.3V。器件中产生了大量的光生载流子,根据器件的能级结构图和光生载流子的 输运过程对此光电二极管的光响应机理进行了解释。     

r面蓝宝石衬底上生长的a面ZnO巨大的平面内光学各向异性

我们在室温下测量采用反射差分光谱测量了r面蓝宝石衬底上生长的a面氧化锌的平面内光学各向异性。由于a面氧化锌为C2v对称性,我们观察到在平行c轴的方向和垂直于c轴的方向存在巨大的平面内光学各向异性。在带隙处观察到了非常尖锐的跃迁振荡信号,这个信号来源于偏振相关的能带移动。激子跃迁产生了尖锐的线形。谱线的拟合和微分光谱给出了偏振相关的带隙能量。垂直于c轴和平行于c轴方向上的各向异性应变产生了巨大的平面内光学各向异性。介电函数模型给出了拟合的结果,估计了带隙附近的偏振度。     

高黏度聚α-烯烃合成油加氢技术研究

采用中国石油石油化工研究院开发的Pt-Pd/Al_2O_3加氢精制催化剂对聚α-烯烃PAO40粗产品进行了加氢精制。结果表明:在反应温度240~280℃、反应压力4.0~8.0 MPa、体积空速0.1~0.4h-1、氢油体积比300∶1的工艺条件下,PAO40加氢产品的芳烃含量达到国外同类优秀产品水平;PAO40加氢产品经光照30天后不变色,具有较好的光安定性。     

ZnO薄膜的激光光声效应

本文分析了ZnO薄膜的光声效应,推导了在一维条件下光声信号与压电系数、介电系数、热导、比热、调制频率之间的关系。实验表明光声信号的幅度和调制频率、入射光功率之间的理论分析吻合较好。同时还计算了ZnO薄膜的压电系数e_(33)=0.817e/m~2,e_(31)=-0.43e/m~2。