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61.
双机组风力机尾流互扰及阵列的数值模拟   总被引:5,自引:0,他引:5  
为合理布置风力机,尽量减小风力机尾流的影响,提高风电场效率,采用Fluent 6.3软件,结合尾流理论分别对单机、2台串列、并列及错列布置的风力机进行数值模拟。通过比较单机风力机下风向流场分布和尾流模型计算结果,验证数值模拟合理性;比较单机及各种布置方式的输出功率、流场分布,对风力机间相互影响及互扰损失进行分析。结果表明:串列布置时,下风向叶轮对上风向机组发散状尾流有收敛作用,下风向机组受上游尾流影响较大,功率明显降低;并列及错列时被干扰机组受参考机组尾流挤压,但功率受影响较小。  相似文献   
62.
针对舟山与大陆联网大跨越工程2基370 m高塔的组立施工特点,研制了T2D750/22双摇臂抱杆.该抱杆具有以下几个创新技术及其特点,包括海岛高空抗强台风计算、起升绕绳系统、起升和变幅钢丝绳防干扰装置、双侧力矩控制系统、摇臂防撞装置、井筒吊装系统和SC60变频施工升降机等.  相似文献   
63.
卢怀钿  钟少伟 《电力建设》2011,32(7):109-112
对华能海门电厂2台1 036 MW机组冷端系统在循环水泵双速改造前后进行了运行优化试验,根据试验数据拟合出汽轮机背压和功率微增曲线及汽轮机功率修正计算公式,并计算出了凝汽器变工况特性;采用综合煤价和电价比较法得出循环水泵双速改造前后的推荐运行方式。实践证明循环水泵双速改造后能达到进一步节能的目的,使电厂获得了最大的经济效益。  相似文献   
64.
提出了一种基于最优电压矢量的并联有源电力滤波器双滞环电流控制策略,用于快速控制三相有源电力滤波器的相间误差电流,同时可减少高次谐波、加快响应速度。采用滞环比较器确定参考电压矢量所在的区域,另根据误差电流矢量的越界情况及所在区域采用不同的控制策略来选择输出开关矢量,同时,引入当前开关状态信号和各相电流幅值信号,来辅助开关矢量的选择。仿真结果证明了该方法的有效性和可行性。  相似文献   
65.
制冷型红外探测器中的冷屏通常采用直角结构挡光环,而经过挡光环侧壁反射的杂散光可以直接到达焦平面,使探测器的成像质量大幅下降。通过对冷屏挡光环结构进行理论分析,提出了一种抑制杂散光的挡光环侧壁的优化结构。利用Lighttools软件对优化前后的冷屏进行了模拟分析,杂散光的总功率减少71.6%。通过实验验证,探测器的平均响应非均匀性减少27.1%,成像效果有明显改善。结果表明,这种挡光环侧壁的优化结构对于抑制杂散光是十分有效的。  相似文献   
66.
该文提出了一种增强型PTP光纤级联精细时频同步方法,该方法以PTP同步技术为基础,结合同步以太网时钟传递技术和基于数字双混频时差法的多级级联精细时钟同步技术,对PTP技术进行改进和增强,然后基于该方法,通过多级时频设备光纤级联的形式实现多节点、大跨度、网络化的时频信号传递与同步输出,并解决多级级联情况下同步精度会逐级恶化的问题,实现ns量级的系统时间同步精度,保证系统各环节在高度统一的时间尺度下进行高效同步与联动工作。通过设计、试验,验证了该方法的可行性和有效性。  相似文献   
67.
针对冲突证据合成时传统证据合成和单一修正改进方法存在的问题,提出了新的证据源预处理和组合规则双修正的证据合成方法.利用夹角余弦理论,计算证据向量距离后转化得到权重系数,依据权重系数对证据进行重新概率分配,完成证据源修正;之后用修正的动态合成规则,进行修正证据的合成;同时提出了算法分析模型.实例结果验证了算法在证据合成时具有最优结果、较强通用性和稳定性,可应用于信息融合、不确定信息决策等领域.  相似文献   
68.
本文对连续波半导体激光器端面抽运的Fabry-Perot腔掺Yb3 双包层光纤激光器的自脉动输出行为进行了研究.发现低Q值腔光纤激光器具有两种形式的自脉动输出,一种是饱和吸收被动调Q产生的自脉冲,另一种是与光纤中的受激Raman散射(SRS)效应相对应的阵发性巨脉冲.通过提高光纤激光器谐振腔的Q值并选择合适的抽运功率,可以有效地减小输出功率的自脉动,获得稳定的连续波激光输出.  相似文献   
69.
For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber with an in-situ H2-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace for good step coverage. From chain resistance, Kelvin Rc, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application.  相似文献   
70.
研究了用二次曝光法制作掺Yb相移光纤光栅的实验过程 ,并对相移光纤光栅制作过程中出现次峰的情况进行了理论分析。合理地解释了该现象  相似文献   
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