煤矿掘进工作面供电系统选择性漏电保护的实现

针对煤矿井下掘进工作面供电系统无选择性漏电保护的问题 ,根据实际需要 ,提出了基于附加直流电源和零序电流方向检测的选择性漏电保护方案。在原有保护的基础上 ,设计了零序电压检测电路和中断信号发生器 ,配合我厂生产的分支馈电开关 ,可有效地完成掘进工作面供电系统两级漏电保护功能。     

采用双直流电流滞环调节器的矢量控制PWM变频调速系统

矢量控制变频调速系统因基诸多的优良特性,具有广阔的发展和应用前景,本文提出了一种性能良好的交流电机矢量控制ＰＷＭ调速方案,采用两个电流滞环调节器,滞环调节器的输出通过ＥＰＲＯＭ电压矢量开关表选择合适的电压矢量输出,控制逆变器,运行结果表明,该系统具有良好的稳态和动态性能。     

氨性体系下新型添加剂对电积锌的影响研究

以自制的胺类衍生物为氨性体系电积锌的添加剂,考察其用量对电流效率和阴极锌表面形貌的影响。结果表明,在添加剂用量2mL/L、Zn2+浓度40g/L、氯化铵浓度5mol/L、氨水浓度2.5mol/L、电流密度400A/m2、异极距3cm、温度40℃的条件下,电流效率达到90.43%,阴极锌板表面形貌较为致密平整。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

激光烧蚀硅所生成的等离子体发射光谱特性

报道由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的硅靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在硅靶表面的功率密度为９．３×１０９Ｗ／ｃｍ２时，测定了等离子体在２００～８８０ｎｍ波长范围内的时间分辨发射光谱。估计了等离子体点燃的时间，测定了等离子体中硅原子的推进速度，讨论了等离子体中Ｎ＋离子产生的原因。通过测量等离子体辐射谱线的半高宽随延迟时间的变化．得到等离子体中电子密度随时间的延迟近似地以ｅｘｐ（－ｔ１／２）的关系衰减。     

激光诱导等离子体中电子密度随时间演化的实验研究

通过测定激光等离子体中镁原子和离子谱线Ｓｔａｒｋ展宽的时间演化特性．得到了激光诱导等离子体中电子密度的时间演化行为及其机理。     

周期平稳信号处理及其应用

周期平稳信号是一类非常重要的非平稳信号,许多信号、干扰都表现出一定的周期平稳性,将信号的这种特性考虑在内的信号处理器,较之传统的信号处理器,可以得到性能上的提高。本文对周期平稳信号处理的基本理论和方法,以及它在各领域中的应用作一概要总结,并在此基础上,对周期平稳信号处理新的发展和应用方向予以展望。     

NMOS低温热载流子晶体管的解析研究

利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。     

全球电信业发展一览

介绍了世界主要国家和地区电信业的发展情况。     

开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。