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61.
In this paper, the use of an uneven nodal network in floor heating simulation with finite difference heat balance method is examined. Two floor heating test cases, homogenous and multilayer floor, are presented. Temperature distributions on the floor surface and heat flows through the floor surface are simulated with even and uneven gridding approaches. It is shown that the total number of nodes can be reduced by placing the densest gridding in sections where the curvature of the temperature gradient is steepest. 相似文献
62.
利用平板型热管纺丝装置对普通高速纺丝机进行技术改造,并一步法生产出充分结晶的PET纤维(FCY)。该纤维可直接用于织造,调节热管温度、热管安装位置可获得满足后道工序不同需要的FCY。 相似文献
63.
64.
中国先进研究堆冷中子源核发热和冷中子增益研究 总被引:3,自引:3,他引:0
为准确计算和研究中国先进研究堆(CARR)冷中子源装置氢系统的核发热和冷中子增益,建立了一整套计算方法。对参考堆的验证计算证明了该方法的正确性和有效性。对影响CARR冷中子源核发热和冷中子增益的各种因素(如慢化剂、冷包材料、冷包形状等)进行了计算和优化选择。结果表明:在核发热量较小的条件下获得了较好的冷中子增益。 相似文献
65.
66.
分布式集中供热微机控制系统 总被引:1,自引:0,他引:1
由供热站控制装置、温度巡测仪和PC-386微机构成对供热站及热用户的多种现场参数进行采集与控制。文中提出了一种根据补水进行前馈控制的方法。并给出了远距离测温探头的实际应用线路。 相似文献
67.
奥里油是一种含乳化液较多的新油种,作者配合某厂机动处,对该油种进行了理论分析,并在连续加热炉上替代重油燃烧进行了有益的尝试。 相似文献
68.
70.
In this article, the influence of base resistance on extracting thermal resistance for SiGe heterojunction bipolar transistors is studied and an improved approach for determining the junction temperature and thermal resistance is presented. The proposed method for extracting thermal resistance is based on the temperature sensitivity of the base–emitter (B–E) voltage when the device is biased with a fixed emitter current density. This approach not only takes into account the self‐heating during the different ambient temperature measurement but also revises the empirical equation of B–E voltage due to the influence of base resistance during the power dissipation increment measurement. Results are obtained for devices with different emitter lengths and fingers. Compared with the conventional method, the thermal resistance is about up to 15% improvement for the device with 0.3 × 1.9 μm2 emitter area and 13.8% for the device with 0.3 × 13.9 μm2 emitter area. The accurate thermal resistance implemented in HICUM model has resulted in better fit for transistor output characteristics. © 2012 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2012. 相似文献